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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社申請的專利等離子體處理裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115938906B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202310085511.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)等離子體處理裝置是由橫田聰裕;伴瀬貴德;高良穣二;森北信也;奧西直彥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-09-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，其包括執(zhí)行以下步驟a～步驟e的控制部，將基片放置在基片支承件上的步驟a；在腔室中利用第一RF信號(hào)和第二RF信號(hào)從第一氣體形成第一等離子體的步驟b，在步驟b中，第二RF信號(hào)以0以上的第一電功率被供給至下部電極；使基片暴露在第一等離子體中的步驟c；在腔室中利用第一RF信號(hào)、第二RF信號(hào)和磁場從第二氣體形成第二等離子體的步驟d，在步驟d中，第二RF信號(hào)以大于第一電功率的第二電功率被供給至下部電極；和使基片暴露在第二等離子體中的步驟e。

本發(fā)明授權(quán)等離子體處理裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括： 具有至少一個(gè)用于第一氣體和第二氣體的入口的腔室； 設(shè)置在所述腔室中的基片支承件，所述基片支承件具有用于支承基片的表面，該表面具有第一區(qū)域和圍繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域； 設(shè)置在所述基片支承件內(nèi)的下部電極； 供給具有第一頻率的第一RF信號(hào)的第一RF電源； 與所述下部電極電連接的第二RF電源，該第二RF電源供給具有比所述第一頻率低的第二頻率的第二RF信號(hào)； 在所述腔室中形成磁場的電磁鐵，該磁場在所述第一區(qū)域上具有第一成分并且在所述第二區(qū)域上具有比所述第一成分大的第二成分；和 執(zhí)行以下步驟a～步驟e的控制部， 將基片放置在所述基片支承件上的步驟a； 在所述腔室中利用所述第一RF信號(hào)和所述第二RF信號(hào)從所述第一氣體形成第一等離子體的步驟b，在步驟b中，所述第二RF信號(hào)以0以上的第一電功率被供給至所述下部電極； 使所述基片暴露在所述第一等離子體中的步驟c； 在所述腔室中利用所述第一RF信號(hào)、所述第二RF信號(hào)和所述磁場從所述第二氣體形成第二等離子體的步驟d，在步驟d中，所述第二RF信號(hào)以大于所述第一電功率的第二電功率被供給至所述下部電極；和 使所述基片暴露在所述第二等離子體中的步驟e， 所述控制部執(zhí)行步驟f，該步驟f反復(fù)執(zhí)行所述步驟b～步驟e。

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