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龍圖騰網獲悉浙江玨芯微電子有限公司申請的專利一種可有效避免碲鎘汞紅外探測器芯片邊角裂紋的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300582B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111664539.3，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種可有效避免碲鎘汞紅外探測器芯片邊角裂紋的方法是由龔漢紅;陳世銳;陳路;杜宇;毛劍宏設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種可有效避免碲鎘汞紅外探測器芯片邊角裂紋的方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種可有效避免碲鎘汞紅外探測器芯片邊角裂紋的方法，包括如下步驟：S1：對碲鎘汞芯片的正面和或背面進行接近式光刻，使碲鎘汞芯片的正面和或背面周邊產生至少一圈邊框圖形，邊框圖形位于芯片有效成像區域的外周并與芯片有效成像區域之間留有間距；S2：將光刻后的碲鎘汞芯片通過濕法腐蝕的工藝手段，使步驟S1中的邊框圖形轉移至碲鎘汞芯片的正面和或背面，將碲鎘汞芯片正面和或背面中位于芯片有效成像區域周圍的碲鎘汞材料進行腐蝕并在邊框圖形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蝕完畢，清洗后將碲鎘汞芯片進行下一步芯片工序。該方法可使劃片時崩邊產生的裂紋隱患阻隔在碲鎘汞芯片的芯片有效成像區域外，提升了碲鎘汞芯片制備的合格率。

本發明授權一種可有效避免碲鎘汞紅外探測器芯片邊角裂紋的方法在權利要求書中公布了：1.一種可有效避免碲鎘汞紅外探測器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：它包括如下步驟： S1：對碲鎘汞芯片的正面和或背面進行接近式光刻，使碲鎘汞芯片的正面和或背面周邊產生至少一圈邊框圖形，所述邊框圖形位于芯片有效成像區域的外周并與芯片有效成像區域之間留有間距； S2：將光刻后的碲鎘汞芯片通過濕法腐蝕的工藝手段，使步驟S1中的邊框圖形轉移至碲鎘汞芯片的正面和或背面，將碲鎘汞芯片正面和或背面中位于芯片有效成像區域周圍的碲鎘汞材料進行腐蝕并在邊框圖形位置形成凹槽，所述碲鎘汞芯片正面的凹槽深度為1μm～50μm，所述碲鎘汞芯片背面的凹槽深度為碲鎘汞芯片的外延層厚度； 正面開槽位于芯片流片的前道工藝中，正面開槽僅腐蝕一定深度，且槽的深度與外延層厚度和襯底材料厚度呈正相關；背面開槽位于芯片流片的后道工藝中，選擇徹底腐蝕； S3：凹槽腐蝕完畢，清洗后將碲鎘汞芯片進行下一步芯片工序。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江玨芯微電子有限公司，其通訊地址為：323000 浙江省麗水市蓮都區南明山街道石牛路268號1幢B座307室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。