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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海云衡科技有限公司申請(qǐng)的專利帶輸入保護(hù)的電源開(kāi)關(guān)電路、保護(hù)方法及智能水表獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114499174B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210126108.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M3/156；該發(fā)明授權(quán)帶輸入保護(hù)的電源開(kāi)關(guān)電路、保護(hù)方法及智能水表是由金穎鋒;于鯤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本帶輸入保護(hù)的電源開(kāi)關(guān)電路、保護(hù)方法及智能水表在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種帶輸入保護(hù)的電源開(kāi)關(guān)電路、保護(hù)方法及智能水表，包括：主電源、備用電源、外電開(kāi)關(guān)、內(nèi)電開(kāi)關(guān)以及MCU；所述主電源與外電開(kāi)關(guān)連接，所述備用電源與內(nèi)電開(kāi)關(guān)連接，所述外電開(kāi)關(guān)的輸出端與內(nèi)電開(kāi)關(guān)的輸出端并聯(lián)后構(gòu)成電源輸出端，所述MCU與電源輸出端連接。本發(fā)明采用MOS管代替常用的二極管作為外電的供電通路，減少了二極管帶來(lái)的壓降，本發(fā)明具有短路保護(hù)的功能和反接保護(hù)功能。

本發(fā)明授權(quán)帶輸入保護(hù)的電源開(kāi)關(guān)電路、保護(hù)方法及智能水表在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種帶輸入保護(hù)的電源開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，包括：主電源、備用電源、外電開(kāi)關(guān)、內(nèi)電開(kāi)關(guān)以及MCU；所述主電源與外電開(kāi)關(guān)連接，所述備用電源與內(nèi)電開(kāi)關(guān)連接，所述外電開(kāi)關(guān)的輸出端與內(nèi)電開(kāi)關(guān)的輸出端并聯(lián)后構(gòu)成電源輸出端，所述MCU與電源輸出端連接； 所述外電開(kāi)關(guān)包括：PMOS管Q1，NMOS管Q2、NMOS管Q3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C1、電容C3、二極管D1以及二極管D2；所述主電源的負(fù)極連接GND，所述主電源的正極分別連接PMOS管Q1的漏極和電容C1的一端，所述主電源的正極構(gòu)成檢測(cè)端V_BAT，所述PMOS管Q1的源極為電源輸出端，所述電源輸出端設(shè)置有檢測(cè)端V_SYS，所述PMOS管Q1的源極連接二極管D1的正極，所述二極管D1的負(fù)極分別連接電阻R3的一端和電容C3的一端，所述電容C3的另一端連接GND，所述電阻R3的另一端分別連接NMOS管Q2的漏極、PMOS管Q1的柵極以及NMOS管Q3的柵極，所述NMOS管Q2的柵極分別連接NMOS管Q3的漏極、二極管D2的正極、電阻R1的一端、電阻R2的一端以及電容C1的另一端，所述二極管D2的負(fù)極和電阻R1的另一端連接VDD，所述電阻R2的另一端連接GND，所述NMOS管Q2的源極與MCU的PW_SW_CTRL_1端口連接，所述NMOS管Q3的源極與MCU的PW_SW_CTRL_2端口連接； 當(dāng)外電開(kāi)始上電，MCU上電后，先拉高PW_SW_CTRL_1和PW_SW_CTRL_2，此時(shí)PMOS管Q1以及NMOS管Q2和NMOS管Q3全部截止，V_B電壓被NMOS管Q3的內(nèi)生二極管保持到接近VDD的值，V_A電壓為接近于V_SYS的電壓值；MCU通過(guò)電壓檢測(cè)電路檢測(cè)到外電正常后，先拉低PW_SW_CTRL_1，此時(shí)NMOS管Q2導(dǎo)通，V_A電壓被拉低，PMOS管Q1導(dǎo)通；在足夠NMOS管Q2導(dǎo)通的時(shí)間延時(shí)之后，再拉低PW_SW_CTRL_2； 當(dāng)外電掉電時(shí)，內(nèi)電繼續(xù)給V_SYS供電時(shí)，當(dāng)MCU定時(shí)檢測(cè)外電電壓時(shí)，拉高PW_SW_CTRL_1和PW_SW_CTRL_2，使得PMOS管Q1、NMOS管Q2、NMOS管Q3截止；V_SYS無(wú)法向外部V_BAT供電，檢測(cè)完畢后按順序拉低PW_SW_CTRL_1和PW_SW_CTRL_2。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人上海云衡科技有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區(qū)澄瀏公路52號(hào)39幢2樓J001室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。