深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司鄭帥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利驅動背板及其制備方法、顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883345B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210487953.X，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權驅動背板及其制備方法、顯示面板是由鄭帥;宋志偉設計研發完成，并于2022-05-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本驅動背板及其制備方法、顯示面板在說明書摘要公布了：本申請公開了一種驅動背板及其制備方法、顯示面板。驅動背板包括基底、氧化物半導體層、氧化鋁層、氧化硅層、源極、漏極以及柵極。氧化物半導體層設置在基底上，且包括溝道和位于溝道相對兩側的源極接觸部和漏極接觸部；氧化鋁層覆蓋在氧化物半導體層的表面，氧化鋁層中開設有開口，開口裸露出溝道；氧化硅層設置在氧化鋁層遠離氧化物半導體層的一側，氧化硅層填充于開口，并與溝道的表面接觸；源極和漏極設置在氧化硅層遠離氧化鋁層的一側；柵極設置在氧化物半導體層靠近基底的一側或氧化硅層靠近源極的一側。本申請改善了現有驅動背板中的短溝道效應，實現了薄膜晶體管的小型化設計。
本發明授權驅動背板及其制備方法、顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種驅動背板，其特征在于，包括： 基底； 氧化物半導體層，設置在所述基底的一側，所述氧化物半導體層包括溝道和位于所述溝道相對兩側的源極接觸部和漏極接觸部； 氧化鋁層，覆蓋在所述氧化物半導體層的表面，所述氧化鋁層中開設有開口，所述開口裸露出所述溝道； 氧化硅層，設置在所述氧化鋁層遠離所述氧化物半導體層的一側，所述氧化硅層填充于所述開口，并與所述溝道的表面接觸，所述氧化硅層自所述開口的周緣延伸至所述開口內；以及 源極和漏極，設置在所述氧化硅層遠離所述氧化鋁層的一側，所述源極連接于所述源極接觸部，所述漏極連接于所述漏極接觸部；以及 柵極，設置在所述氧化物半導體層靠近所述基底的一側或所述氧化硅層靠近所述源極的一側。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區公明街道塘明大道9-2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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