福建省晉華集成電路有限公司童宇誠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體器件及其電接觸結構與制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111640747B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910926990.4，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體器件及其電接觸結構與制造方法是由童宇誠;詹益旺;黃永泰;方曉培;吳少一設計研發完成，并于2019-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其電接觸結構與制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體器件及其電接觸結構與制造方法，通過使得形成在所述核心元件區的邊界處的至少兩個接觸插塞的頂部相聯在一起，來在核心元件區的邊界處形成頂部橫截面積較大的組合接觸結構，由此，為后續在核心元件區的邊界處的接觸結構上方形成電學結構的工藝提供足夠的工藝余量，使得該邊界處的所述電學結構的尺寸增大，降低接觸阻抗，且通過該邊界處尺寸增大的所述電學結構的，緩沖核心元件區和周邊電路區之間的電路圖案的密度差異，改善光學鄰近效應，保證核心元件區邊界以內的接觸插塞上方的電學結構的一致性，并防止所述邊界處的接觸插塞上方的電學結構出現坍塌，提高器件性能。
本發明授權半導體器件及其電接觸結構與制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的電接觸結構，其特征在于，所述電接觸結構包括： 多個接觸插塞，形成于所述半導體器件的核心元件區的核心元件的上方，且各個所接觸插塞的底部與相應的核心元件的有源區接觸， 其中，形成在所述核心元件區的邊界處的至少兩個接觸插塞的頂部相聯在一起，且所述頂部相聯在一起的接觸插塞中包括所述邊界處最外側的接觸插塞； 所述半導體器件還包括多個電容結構，形成于所述多個接觸插塞的上方，且所述頂部相聯在一起的接觸插塞和相應的一個所述電容結構電性接觸； 所述邊界處的電容結構具有第一寬度，所述核心元件區的所述邊界處以內的電容結構具有第二寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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