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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請的專利一種雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119001144B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310563736.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01P15/12；該發(fā)明授權(quán)一種雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法是由王家疇;鄭夢瑤;李昕欣設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-05-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法，該方法包括：提供襯底；于襯底背面形成第一溝槽，于襯底正面形成多個壓敏電阻；于襯底的正面形成介質(zhì)層，介質(zhì)層中設(shè)置有開口顯露壓敏電阻；于襯底內(nèi)部選擇性腐蝕出基于懸臂梁結(jié)構(gòu)的高量程加速度傳感器；于襯底正面形成金屬層，金屬層還延伸入開口中與壓敏電阻電連接；于第一溝槽中形成預(yù)設(shè)深度的第五溝槽，于襯底的正面形成第六溝槽，第六溝槽與第五溝槽在垂直方向上相對應(yīng)，且第六溝槽和第五溝槽連通。本發(fā)明的雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法中，通過將低量程加速度傳感器和高量程加速度傳感器在單芯片上一體化集成，具有高靈敏、高頻響、高抗過載、低成本、微型化的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)一種雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種雙量程加速度傳感器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一襯底，所述襯底包括相對設(shè)置的正面與背面，其中，所述襯底劃分為低量程區(qū)域和高量程區(qū)域； 于所述襯底的背面形成第一溝槽，所述第一溝槽位于所述低量程區(qū)域，于所述襯底的正面形成多個壓敏電阻，其中，至少一部分所述壓敏電阻位于所述低量程區(qū)域，至少一部分所述壓敏電阻位于所述高量程區(qū)域； 于所述襯底的正面形成介質(zhì)層，于所述介質(zhì)層的預(yù)設(shè)位置形成開口，所述開口顯露所述壓敏電阻； 于所述襯底的正面形成第二溝槽，且于所述第二溝槽的側(cè)壁形成阻刻層，其中，所述第二溝槽位于所述高量程區(qū)域； 基于所述第二溝槽于所述襯底中形成預(yù)設(shè)深度的第三溝槽，基于所述第三溝槽于所述襯底中形成橫向擴(kuò)展的第四溝槽； 于所述介質(zhì)層上形成金屬層，所述金屬層還填充至所述開口中與所述壓敏電阻電連接； 于所述第一溝槽中形成預(yù)設(shè)深度的第五溝槽； 于所述襯底的正面形成第六溝槽，所述第六溝槽與所述第五溝槽在垂直方向上相對應(yīng)，且所述第六溝槽和所述第五溝槽連通。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區(qū)長寧路865號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。