天津弘捷科技有限公司王團偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天津弘捷科技有限公司申請的專利一種光電信息泄露防護薄膜及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116648045B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310612026.0，技術領域涉及：H05K9/00；該發明授權一種光電信息泄露防護薄膜及其制備方法是由王團偉;劉偉;劉志武;耿姍姍;許小晨;張薏設計研發完成，并于2023-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光電信息泄露防護薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光電信息泄露防護薄膜及其制備方法，包括基底層和固化在基底層頂部的防護層，所述防護層厚度為1?100μm，其由納米銀線和氧化銦錫銫鎢青銅三氧化二砷混合后通過涂布方式一次成型耦合在基底層的上表面；其中，多條納米銀線相互搭接層疊形成不規則的導電網格；所述納米銀線和氧化銦錫銫鎢青銅三氧化二砷的重量比為1：9至9：1之間；所述防護層能夠反射電磁信號，從入射方向防止電磁輻射信號透過防護層產生電磁泄露，同時從入射方向防止入射的紅外激光形成紅外出射光。
本發明授權一種光電信息泄露防護薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光電信息泄露防護薄膜，包括基底層（1），其特征在于，還包括固化在基底層（1）頂部的防護層（2），所述基底層（1）用于為防護薄膜提供支撐，所述防護層（2）厚度為1-100μm，其由納米銀線和氧化銦錫銫鎢青銅三氧化二砷混合后通過涂布方式一次成型耦合在基底層（1）的上表面；其中，多條納米銀線相互搭接層疊形成不規則的導電網格；所述納米銀線和氧化銦錫銫鎢青銅三氧化二砷的重量比為1：9至9：1之間；所述防護層（2）能夠反射電磁信號，同時從入射方向吸收入射的紅外激光。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津弘捷科技有限公司，其通訊地址為：301700 天津市武清區大王古莊鎮城王路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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