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龍圖騰網(wǎng)獲悉西北工業(yè)大學(xué)申請的專利一種多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯-聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117819984B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410016351.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C04B35/58；該發(fā)明授權(quán)一種多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯-聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料及其制備方法是由李賀軍;任斌;賈瑜軍;武霄鵬設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-01-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯-聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯?聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料及其制備方法，方法包括將氧化鋯，氧化鉿，氧化鈰，氧化鈦，五氧化二鉭五種氧化物以等摩爾比例球磨混合，熱壓燒結(jié)后制備多組元氧化物固溶體；將上述氧化物固溶體經(jīng)球磨處理后與ZrB2粉體均勻分散到液相聚硅氧烷中，通過低溫交聯(lián)，高溫裂解制備多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯?聚合物轉(zhuǎn)化硅氧碳陶瓷復(fù)合材料。本發(fā)明的陶瓷復(fù)合材料有效的提升了PDC?SiOC陶瓷的熱穩(wěn)定性能，改善了其作為電磁波吸收材料應(yīng)用時損耗能力不足的現(xiàn)狀，調(diào)控了其介電特性，吸收帶寬幾乎覆蓋了整個X波段。

本發(fā)明授權(quán)一種多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯-聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯-聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料的制備方法，其特征在于，包括： 取ZrO2,HfO2,CeO2,TiO2,Ta2O5粉體，加入無水乙醇溶液，均勻球磨混合并烘干得到第一混合粉體； 將第一混合粉體放入模具中，預(yù)壓后進(jìn)行真空熱壓，在Ar氣氛中，以10℃min升溫速率將爐溫升至1000～1400℃，后以5℃min的升溫速率將爐溫升至1400～1800℃，得到多元氧化物固溶體MOS； 將MOS、納米ZrB2與PSO混合后，攪拌混合均勻；再進(jìn)行一次熱處理，在流動的Ar氣氛中，以5℃min升溫速率將爐溫從室溫升至100～300℃，得到交聯(lián)材料； 交聯(lián)材料經(jīng)球磨后過篩，得到第二混合粉體；將第二混合粉體壓制成型； 將成型的混合粉體進(jìn)行二次熱處理，在流動的Ar氣氛中，以3～10℃min升溫速率將爐溫從室溫升至800～1300℃，得到MOS-ZrB2-SiOC陶瓷復(fù)合材料； 多組元氧化物增強(qiáng)的硼化鋯-聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷基吸波材料，包括：基體， 所述基體包括聚合物轉(zhuǎn)化SiOC、多組元氧化物固溶體MOS、納米ZrB2粉體形成的陶瓷復(fù)合材料；其中MOS、納米ZrB2均勻分布在非晶態(tài)SiOC陶瓷基體中； 所述基體中包含非晶態(tài)SiOxCy、游離碳、多組元氧化物固溶體及納米ZrB2。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西北工業(yè)大學(xué)，其通訊地址為：710072 陜西省西安市碑林區(qū)友誼西路127號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。