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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請的專利復(fù)合Si/Al插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119069589B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411187995.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)復(fù)合Si/Al插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用是由閆其昂;王國斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本復(fù)合Si/Al插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種復(fù)合SiAl插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。復(fù)合SiAl插入層結(jié)構(gòu)包括：其包括：SiN膜層、AlN填充層和AlN膜層，所述AlN填充層間隔分布在所述SiN膜層內(nèi)，所述AlN膜層層疊設(shè)置在所述SiN膜層、所述AlN填充層上；以及，所述SiN膜層內(nèi)還設(shè)置有多個A1N微結(jié)構(gòu)，所述AlN膜層內(nèi)還設(shè)置有多個SiN微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明克服了大尺寸Micro?LED外延量子阱生長均勻性差的問題，適用于大尺寸長波發(fā)射，極大地提高了Micro?LED外延片的亮度和發(fā)光效率。

本發(fā)明授權(quán)復(fù)合Si/Al插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種復(fù)合SiAl插入層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在量子阱結(jié)構(gòu)的相鄰兩個壘層之間，其特征在于，所述復(fù)合SiAl插入層結(jié)構(gòu)包括：SiN膜層、AlN填充層和AlN膜層，所述AlN填充層間隔分布在所述SiN膜層內(nèi)，所述AlN膜層層疊設(shè)置在所述SiN膜層、所述AlN填充層上； 以及，所述SiN膜層內(nèi)還設(shè)置有多個AlN微結(jié)構(gòu)，所述AlN膜層內(nèi)還設(shè)置有多個SiN微結(jié)構(gòu)。

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