哈爾濱工業大學聶秋月獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學申請的專利一種密度分布可調的半球型電感耦合等離子體源獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119997337B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510097235.5，技術領域涉及：H05H1/46；該發明授權一種密度分布可調的半球型電感耦合等離子體源是由聶秋月;王龍;陳培奇;張仲麟;閆昌時;譚力設計研發完成，并于2025-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種密度分布可調的半球型電感耦合等離子體源在說明書摘要公布了：本發明涉及一種密度分布可調的半球型電感耦合等離子體源，屬于等離子體發生裝置技術領域。包括上部罩體、下部罩體、法蘭和線圈，所述上部罩體、下部罩體、法蘭從上到下順次同軸設置，在上部罩體、下部罩體之間形成腔室，法蘭的側面設置有接口管，腔室與接口管連通，腔室的外側設置有線圈。本發明主要用于天線輻射性能調控領域，可實現對天線輻射特性的有效調控。
本發明授權一種密度分布可調的半球型電感耦合等離子體源在權利要求書中公布了：1.一種密度分布可調的半球型電感耦合等離子體源，其特征在于：包括上部罩體（1）、下部罩體（2）、法蘭（5）和線圈，所述上部罩體（1）、下部罩體（2）、法蘭（5）從上到下順次同軸設置，在上部罩體（1）、下部罩體（2）之間形成腔室，法蘭（5）的側面設置有接口管（51），腔室與接口管（51）連通，腔室的外側設置有線圈； 上部罩體（1）、下部罩體（2）上部均具有半球形殼體，半球形殼體的下部邊緣具有環形邊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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