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龍圖騰網獲悉深圳市兩岸半導體科技有限公司申請的專利垂直腔面發射激光燈及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120389292B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510875837.9，技術領域涉及：H01S5/42；該發明授權垂直腔面發射激光燈及其制備方法是由李忠;方干;李峰設計研發完成，并于2025-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直腔面發射激光燈及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體制造技術領域，解決了現有激光燈制造技術制造的激光燈存在的發光效率低下的問題，提供了一種垂直腔面發射激光燈及其制備方法。該方法包括：對清潔后的基板進行平整度優化處理；在所述基板表面進行材料層交替沉積，形成第一反射單元，第一反射單元包括第一材料層和第二材料層；在基板表面沉積第二反射單元；在第一反射單元與量子阱層之間沉積第一應變補償層，并在第二反射單元與量子阱層之間沉積第二應變補償層，得到發光芯片；將封裝層覆蓋在發光芯片的出光側表面，并將發光芯片鍵合固定于基板上；對基板與基座進行鍵合，得到各激光燈珠；對各激光燈珠進行后處理，得到垂直腔面發射激光燈。本發明提升了激光燈珠的發光效率。

本發明授權垂直腔面發射激光燈及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直腔面發射激光燈，其特征在于，包括： 若干激光燈珠，其中，所述激光燈珠包括封裝層、發光芯片、基板和基座，所述封裝層覆蓋于所述發光芯片的出光側表面，所述發光芯片鍵合于所述基板的上表面，所述基板的下表面通過鍵合層與所述基座連接； 所述發光芯片包括第一反射單元、第一應變補償層、量子阱層、第二應變補償層和第二反射單元； 所述第二反射單元與所述第一反射單元形成對稱諧振腔； 所述第一應變補償層和所述第二應變補償層用于對所述量子阱層進行應變補償，所述第一應變補償層和所述第二應變補償層以所述量子阱層為中心鏡像對稱分布； 所述量子阱層通過受激輻射產生具有目標波長的光場； 所述第一反射單元包括多個交替層疊的具有第一折射率的第一材料層和具有第二折射率的第二材料層，所述第一材料層具有第一物理厚度，所述第二材料層具有第二物理厚度，所述第一折射率大于所述第二折射率，所述第一物理厚度小于所述第二物理厚度，所述第一材料層和所述第二材料層具有使所述具有目標波長的光場產生相長干涉的相同光學厚度； 所述封裝層包括沿發光芯片的光軸方向依次設置的第一封裝層和第二封裝層； 所述第一封裝層包括兩層彈性封裝介質，所述彈性封裝介質的外表面具有連續光滑光學界面，用于約束光束發散角至預設角度區間內； 所述第二封裝層覆蓋于所述第一封裝層的外側，包括熱固性聚合物，所述熱固性聚合物與所述第一封裝層之間通過界面改性層實現化學鍵合，所述界面改性層包含硅烷偶聯劑或等離子體活化處理形成的致密過渡區。

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