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龍圖騰網獲悉朝陽微電子科技股份有限公司申請的專利一種ESD器件結構及其設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111710669B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010489344.9，技術領域涉及：H10D80/20；該發明授權一種ESD器件結構及其設計方法是由李勃緯設計研發完成，并于2020-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種ESD器件結構及其設計方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種ESD器件結構及其設計方法，包括TVS芯片、小電容導向整流管芯片、金絲和銅合金框架片，所述TVS芯片和小電容導向整流管芯片粘接于銅合金框架片的中央位置，所述TVS芯片和小電容導向整流管芯片與銅合金框架片之間連接有金絲。該ESD器件結構及其設計方法，在使用過程中并聯于電路中，當電路正常工作時，它處于截止狀態，不影響線路工作，當電路出現異常過壓并達到其擊穿電壓時，它迅速由高阻態變為低阻態，給瞬間電流提供低阻抗導通路徑。

本發明授權一種ESD器件結構及其設計方法在權利要求書中公布了：1.一種ESD器件結構的設計方法，包括TVS芯片（1）、小電容導向整流管芯片（2）、金絲（3）和銅合金框架片（4），其特征在于：所述TVS芯片（1）和小電容導向整流管芯片（2）粘接于銅合金框架片（4）的中央位置，所述TVS芯片（1）和小電容導向整流管芯片（2）與銅合金框架片（4）之間連接有金絲（3）；所述設計方法如下： TVS芯片（1）的設計與制造：TVS芯片（1）其結構是穿通形器件結構，首先在N襯底上外延生長一層P型高外延層，然后在外延層上注入調整形成一個P阱，再在該阱上通過擴散形成N區，使得在反向偏置下耗盡層延伸至N襯底區，形成N+P-P+N+四層結構，通過工藝控制形成薄的基區寬度，降低PN結擊穿電壓，以達到雪崩型擊穿特性； 小電容導向整流管的芯片設計與制造：小電容導向整流管主要是平衡結面積和襯底電阻率來控制快電容和電流的影響，通過擴散結深的精度和N高阻外延的深度來控制其電壓與電容，并通過重金屬鉑擴散工藝進一步降低電容； TVS芯片（1）和小電容導向整流管芯片（2）與銅合金框架片（4）的粘接：將一枚TVS芯片（1）和4枚一組的小電容導向整流管芯片（2）分別通過導電膠粘接至銅合金框架片（4）中央區域，將兩枚一組的小電容導向整流管芯片（2）通過導電膠粘接至銅合金框架片（4）左右區域。

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