三星電子株式會社鄭光泳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利非易失性存儲器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112071854B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010516756.7，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權非易失性存儲器件是由鄭光泳;金鐘源;孫榮晥;韓智勛設計研發完成，并于2020-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本非易失性存儲器件在說明書摘要公布了：一種非易失性存儲器件包括：模制結構，包括交替地堆疊在襯底上的多個絕緣圖案和多個柵電極；半導體圖案，穿透模制結構并接觸襯底；第一電荷存儲膜；以及與第一電荷存儲膜分隔開的第二電荷存儲膜。第一電荷存儲膜和第二電荷存儲膜設置在每個柵電極與半導體圖案之間。每個柵電極包括分別從柵電極的側表面向內凹陷的第一凹部和第二凹部。第一電荷存儲膜填充第一凹部的至少一部分，第二電荷存儲膜填充第二凹部的至少一部分。
本發明授權非易失性存儲器件在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲器件，包括： 模制結構，包括交替地堆疊在襯底上的多個絕緣圖案和多個柵電極； 半導體圖案，穿透所述模制結構并接觸所述襯底； 第一電荷存儲膜；以及 與所述第一電荷存儲膜分隔開的第二電荷存儲膜， 其中所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜設置在每個所述柵電極與所述半導體圖案之間， 其中每個所述柵電極包括分別從所述柵電極的側表面向內凹陷的第一凹部和第二凹部，并且 所述第一電荷存儲膜填充所述第一凹部的至少一部分，所述第二電荷存儲膜填充所述第二凹部的至少一部分。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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