三星電子株式會社都楨湖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利集成電路器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113224048B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110155933.8,技術領域涉及:H10D89/10;該發明授權集成電路器件是由都楨湖設計研發完成,并于2021-02-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路器件在說明書摘要公布了:提供了包括標準單元的集成電路器件。該集成電路器件可以包括下晶體管區域和上晶體管區域。下晶體管區域可以包括下有源區域、下源極漏極區域、以及與下源極漏極區域交替排列的下柵極結構。上晶體管區域可以包括上有源區域、上源極漏極區域、以及與上源極漏極區域交替排列的上柵極結構。上柵極結構可以包括第一上柵極結構。該集成電路器件還可以包括輸入線、將輸入線電連接到第一上柵極結構的輸入通路、以及電連接一對下源極漏極區域或一對上源極漏極區域的布設線。布設線的上表面可以比輸入線的上表面更靠近襯底。
本發明授權集成電路器件在權利要求書中公布了:1.一種集成電路器件,包括: 在襯底上的下晶體管區域,所述下晶體管區域包括: 在第一水平方向上延伸的下有源區域; 接觸所述下有源區域的多個下源極漏極區域;以及 多個下柵極結構,接觸所述下有源區域并沿所述第一水平方向與所述多個下源極漏極區域交替地排列; 在所述下晶體管區域上的上晶體管區域,所述上晶體管區域包括: 在所述第一水平方向上延伸的上有源區域; 接觸所述上有源區域的多個上源極漏極區域;以及 多個上柵極結構,接觸所述上有源區域并沿所述第一水平方向與所述多個上源極漏極區域交替地排列,其中所述多個上柵極結構包括第一上柵極結構; 在所述第一上柵極結構上的輸入線; 輸入通路,在所述輸入線與所述第一上柵極結構之間并將所述輸入線電連接到所述第一上柵極結構;以及 布設線,在所述第一水平方向上延伸并電連接所述多個下源極漏極區域中的一對下源極漏極區域或所述多個上源極漏極區域中的一對上源極漏極區域, 其中所述布設線包括面對所述襯底的下表面和與所述下表面相反的上表面,所述布設線的所述上表面比所述輸入線的上表面更靠近所述襯底。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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