株式會社愛信成瀨峰信獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社愛信申請的專利半導體存儲裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113795935B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201980096069.X,技術領域涉及:H10N50/10;該發明授權半導體存儲裝置是由成瀨峰信設計研發完成,并于2019-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲裝置在說明書摘要公布了:半導體存儲裝置20具有由作為一個邏輯部40的對象邏輯部41訪問的兩種磁阻存儲器即第一磁阻存儲器21和第二磁阻存儲器22。對象邏輯部41、第一磁阻存儲器21以及第二磁阻存儲器22形成于一個半導體芯片,第一磁阻存儲器21的矯頑力大于第二磁阻存儲器22的矯頑力。
本發明授權半導體存儲裝置在權利要求書中公布了:1.一種半導體存儲裝置,其中, 具有由作為一個邏輯部的對象邏輯部訪問的兩種磁阻存儲器即第一磁阻存儲器和第二磁阻存儲器, 所述對象邏輯部、所述第一磁阻存儲器以及所述第二磁阻存儲器形成于一個半導體芯片, 所述第一磁阻存儲器的矯頑力大于所述第二磁阻存儲器的矯頑力, 在所述第一磁阻存儲器中存儲有包括所述對象邏輯部的動作程序的設定數據, 在所述第二磁阻存儲器中存儲有包括所述對象邏輯部的運算結果的工作數據, 所述對象邏輯部具有按照所述動作程序進行運算處理的運算電路, 所述第二磁阻存儲器相比所述第一磁阻存儲器配置在更靠近所述運算電路的位置, 所述第一磁阻存儲器以及所述第二磁阻存儲器相對于所述對象邏輯部配置于所述半導體芯片的厚度方向的一側即表面側, 所述第二磁阻存儲器的至少一部分配置于在沿著所述厚度方向的方向觀察時與所述運算電路重疊的位置。
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