芯盟科技有限公司華文宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉芯盟科技有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115188761B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110373396.4，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構是由華文宇;何波涌設計研發完成，并于2021-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構在說明書摘要公布了：一種半導體結構，包括：襯底，襯底包括若干相互分立的有源區，若干有源區沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向與第二方向垂直；位于襯底內的若干第一凹槽，若干第一凹槽沿第二方向排列且沿第一方向貫穿若干有源區；位于第一凹槽內的字線柵極結構，字線柵極結構內包括相對的第一側區和第二側區，第二側區與有源區鄰接；位于第一凹槽內的第一隔離結構，第一隔離結構與字線柵極結構第一側區鄰接，第一隔離結構位于字線柵極結構與有源區之間，第一隔離結構還位于部分有源區內；位于各有源區的第一面上的若干電容結構；位于襯底第二面上的若干位線結構，若干位線結構沿第一方向排列且平行于第二方向。所述半導體結構的性能得到提升。
本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括相對的第一面和第二面，所述襯底包括若干相互分立的有源區，若干所述有源區沿第一方向排列，且若干所述有源區平行于第二方向，所述第一方向與第二方向相互垂直； 位于所述襯底內的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向貫穿若干所述有源區； 位于第一凹槽內的字線柵極結構，所述字線柵極結構內包括相對的第一側區和第二側區，所述第二側區與所述有源區鄰接； 位于第一凹槽內的第一隔離結構，所述第一隔離結構與字線柵極結構第一側區鄰接，所述第一隔離結構位于字線柵極結構與有源區之間，所述第一隔離結構還位于部分有源區內； 位于各所述有源區的第一面上的若干電容結構； 位于襯底第二面上的若干位線結構，若干所述位線結構沿第一方向排列，且若干所述位線結構平行于第二方向。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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