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龍圖騰網(wǎng)獲悉聚束科技(北京)有限公司申請(qǐng)的專利一種親水性基片制作方法及裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114256058B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110774469.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種親水性基片制作方法及裝置是由楊潤(rùn)瀟;李帥;何偉;曲士座;劉輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種親水性基片制作方法及裝置在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種親水性基片制作方法及裝置，該方法包括：真空腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體；對(duì)所述真空腔室施加第一電壓，對(duì)樣品臺(tái)施加第二電壓，電子源發(fā)射電子束轟擊所述反應(yīng)氣體產(chǎn)生第一等離子體；所述第一等離子體作用于基片表面；對(duì)所述樣品臺(tái)施加第三電壓，所述電子源停止發(fā)射所述電子束；輝光放電產(chǎn)生的第二等離子體作用于所述基片表面。本發(fā)明提供的一種親水性基片制作方法在產(chǎn)生第一等離子體和第二等離子體過(guò)程中啟輝容易，第一等離子體和第二等離子體作用于基片后，基片的親水性效果穩(wěn)定，次品率低。

本發(fā)明授權(quán)一種親水性基片制作方法及裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種親水性基片制作方法，其特征在于：包括： 真空腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體； 對(duì)所述真空腔室施加第一電壓，對(duì)樣品臺(tái)施加第二電壓，電子源發(fā)射電子束轟擊所述反應(yīng)氣體產(chǎn)生第一等離子體； 所述第一等離子體作用于基片表面； 對(duì)所述樣品臺(tái)施加第三電壓，所述電子源停止發(fā)射所述電子束； 輝光放電產(chǎn)生的第二等離子體作用于所述基片表面； 其中，所述真空腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體的所述真空腔室的第二真空度為-；所述第一電壓的電壓為；所述第二電壓的電壓為-；所述第三電壓的電壓為-。

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