長鑫存儲技術有限公司許杞安獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利靜電保護電路及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115642153B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110812621.X，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權靜電保護電路及芯片是由許杞安設計研發完成，并于2021-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本靜電保護電路及芯片在說明書摘要公布了：本發明公開了一種靜電保護電路及芯片，靜電保護電路包括：可控硅整流器，具有陽極、陰極和靜電泄放路徑；第一觸發單元，連接于所述可控硅整流器的陽極和陰極之間，用于在被保護芯片發生靜電時產生觸發信號；第二觸發單元，連接于所述靜電泄放路徑上，且所述第二觸發單元的輸入端與所述第一觸發單元的輸出端連接，用于基于所述觸發信號，導通所述靜電泄放路徑泄放靜電電流。本發明無需加速并直接通過第一觸發單元輸出高電平觸發第二觸發單元放電導通，從而導通靜電泄放路徑泄放靜電電流，不僅能夠對被保護芯片進行靜電保護，而且具有結構簡單、尺寸較小、觸發速度快的優點。
本發明授權靜電保護電路及芯片在權利要求書中公布了：1.一種靜電保護電路，其特征在于，包括： 可控硅整流器，具有陽極、陰極和靜電泄放路徑； 第一觸發單元，連接于所述可控硅整流器的陽極和陰極之間，用于在被保護芯片發生靜電時產生高電平； 第二觸發單元，連接于所述靜電泄放路徑上，且所述第二觸發單元的輸入端與所述第一觸發單元的輸出端連接，用于基于所述高電平導通所述靜電泄放路徑泄放靜電電流； 所述靜電泄放路徑包括第一三極管、第二三極管、第一電阻和第二電阻，所述第一三極管的發射極為所述可控硅整流器的陽極，所述第一三極管的基極與所述第一電阻的一端和所述第二三極管的集電極連接，所述第一三極管的集電極與所述第二電阻的一端和所述第二三極管的基極連接，所述第二電阻另一端與所述第一電阻另一端連接，所述第二三極管的發射極作為所述可控硅整流器的陰極。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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