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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利蝕刻方法和蝕刻裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114121640B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202110953644.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)蝕刻方法和蝕刻裝置是由竹谷考司;楊元;李楨燦;戶(hù)田聰;羽田敬子設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本蝕刻方法和蝕刻裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及蝕刻方法和蝕刻裝置。對(duì)嵌入至基板上具有開(kāi)口幅度彼此不同的多個(gè)凹部的含氧硅膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，提高基板的面內(nèi)各部的蝕刻量的控制性。一種蝕刻方法，其為向具備開(kāi)口部的大小彼此不同的多個(gè)凹部的基板供給蝕刻氣體、對(duì)嵌入至前述各凹部的含氧硅膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻方法，所述蝕刻方法實(shí)施如下工序：吸附工序，向前述基板供給有機(jī)胺化合物氣體，并使其吸附于前述含氧硅膜；脫附工序，使多余的前述有機(jī)胺化合物氣體從前述基板脫附；和，蝕刻工序，向吸附有前述有機(jī)胺化合物的基板供給所述包含鹵素的前述蝕刻氣體，對(duì)前述各凹部的前述含氧硅膜進(jìn)行選擇性地蝕刻。

本發(fā)明授權(quán)蝕刻方法和蝕刻裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種蝕刻方法，其向具備開(kāi)口部的大小彼此不同的多個(gè)凹部的基板供給蝕刻氣體，對(duì)嵌入至所述各凹部的含氧硅膜進(jìn)行蝕刻， 所述蝕刻方法具備如下工序： 吸附工序，向所述基板供給有機(jī)胺化合物氣體，并使其吸附于所述含氧硅膜； 脫附工序，使多余的所述有機(jī)胺化合物氣體從所述基板脫附；和， 蝕刻工序，向吸附有所述有機(jī)胺化合物的基板供給包含鹵素的所述蝕刻氣體，對(duì)所述各凹部的所述含氧硅膜進(jìn)行選擇性地蝕刻， 其中，所述蝕刻方法包括：并行地進(jìn)行所述吸附工序和所述蝕刻工序；以及在并行地進(jìn)行所述吸附工序和所述蝕刻工序之后，停止所述吸附工序并且并行地進(jìn)行所述脫附工序與所述蝕刻工序，其中所述脫附工序包括僅將所述有機(jī)胺化合物氣體和所述蝕刻氣體中的蝕刻氣體供給至所述基板的工序。

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