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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利半導體裝置和制造半導體裝置的對應方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114334933B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111150863.3，技術(shù)領域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權(quán)半導體裝置和制造半導體裝置的對應方法是由R·蒂齊亞尼設計研發(fā)完成，并于2021-09-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體裝置和制造半導體裝置的對應方法在說明書摘要公布了：根據(jù)本公開的各實施例涉及半導體裝置和制造半導體裝置的對應方法。封裝半導體裝置包括基板，基板具有第一表面和第二表面，第二表面與第一表面相對。至少一個半導體裸片被安裝在基板的第一表面處。導電引線被布置在基板周圍，并且導電結(jié)構(gòu)將至少一個半導體裸片耦合到導電引線的被選擇的引線。封裝模制材料被模制到至少一個半導體裸片上、導電引線上和導電結(jié)構(gòu)上。封裝模制材料使基板的第二表面未被封裝模制材料覆蓋。基板由電絕緣材料層形成。

本發(fā)明授權(quán)半導體裝置和制造半導體裝置的對應方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種封裝半導體裝置，包括： 電絕緣基板，所述電絕緣基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對； 至少一個半導體裸片，所述至少一個半導體裸片在至少一個相應的半導體裸片安裝位置處被安裝在所述電絕緣基板的所述第一表面； 引線框的多個導電引線，所述多個導電引線圍繞所述電絕緣基板被布置； 多個導電結(jié)構(gòu)，所述多個導電結(jié)構(gòu)將所述至少一個半導體裸片耦合到所述多個導電引線中的被選擇的引線，其中所述多個導電結(jié)構(gòu)包括在所述電絕緣基板的所述第一表面上的第一導電圖案； 封裝模制材料，所述封裝模制材料被模制到被安裝在所述電絕緣基板的所述第一表面處的所述至少一個半導體裸片上、所述引線框的所述多個導電引線上、以及所述多個導電結(jié)構(gòu)上，以形成扁平無引線封裝，使所述電絕緣基板的所述第二表面未被所述封裝模制材料覆蓋，并且使所述多個導電引線的底表面未被所述封裝模制材料覆蓋；以及 多個半導體裸片，所述多個半導體裸片在相應的多個半導體裸片安裝位置處被安裝在所述電絕緣基板的所述第一表面處，其中所述第一導電圖案包括導電線，所述導電線將所述多個半導體裸片中的至少一個半導體裸片耦合到所述多個半導體裸片中的至少另一個半導體裸片， 其中： 所述多個半導體裸片包括第一晶體管裸片、第二晶體管裸片、第一二極管裸片、第二二極管裸片、第一晶體管驅(qū)動電路裸片和第二晶體管驅(qū)動電路裸片； 圍繞所述電絕緣基板被布置的所述多個導電引線包括控制信號引線的第一集合、控制信號引線的第二集合、正電壓供電引線、負電壓供電引線或參考電壓供電引線、以及輸出電壓引線； 所述電絕緣基板的所述第一表面上的所述導電圖案中的所述導電線包括： 第一導電線，將所述第一晶體管裸片的漏極端子或集電極端子耦合到所述第一二極管裸片的陰極端子； 第二導電線，將所述第二晶體管裸片的漏極端子或集電極端子耦合到所述第二二極管裸片的陰極端子； 導電線的第一子集，被配置為從所述電絕緣基板的外圍朝向所述第一晶體管驅(qū)動電路裸片路由信號；以及 導電線的第二子集，被配置為從所述電絕緣基板的所述外圍朝向所述第二晶體管驅(qū)動電路裸片路由信號；以及 其中所述多個導電結(jié)構(gòu)還包括鍵合線，所述鍵合線將所述多個導電引線中的被選擇的引線耦合到所述導電線。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。