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龍圖騰網獲悉上海新硅聚合半導體有限公司申請的專利一種光探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114023833B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111150660.4，技術領域涉及：H10F77/40；該發明授權一種光探測器及其制備方法是由歐欣;陳陽;黃凱設計研發完成，并于2021-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種光探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開一種光探測器及其制備方法，該光探測器包括：第一傳輸波導、第二傳輸波導、第一耦合器、第二耦合器、波長轉換器和光探測結構；第一耦合器設置于第一傳輸波導和波長轉換器之間，第一耦合器能夠使第一傳輸波導與波長轉換器進行光導通；波長轉換器用于對第一耦合器輸出的光信號進行波長轉換；第二耦合器設置于第二傳輸波導和波長轉換器之間，第二耦合器能夠使第二傳輸波導與波長轉換器進行光導通；光探測結構用于探測第二耦合器輸出的光信號，本申請通過制備的光探測器將對于硅材料來說為透明波段的光轉化為不透明波段的光，進而對光進行探測，提高了探測的精度，避免集成其他材料制備探測器，也減小了制備工藝的難度，降低了生產成本。

本發明授權一種光探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光探測器，其特征在于，包括：第一傳輸波導101、第二傳輸波導102、第一耦合器1、第二耦合器3、波長轉換器2和光探測結構4； 所述第一耦合器1設置于所述第一傳輸波導101和所述波長轉換器2之間，所述第一耦合器1用于將所述第一傳輸波導101與所述波長轉換器2進行光導通； 所述波長轉換器2用于對所述第一耦合器1輸出的光信號進行波長轉換； 所述第二耦合器3設置于所述第二傳輸波導102和所述波長轉換器2之間，所述第二耦合器3能夠使所述第二傳輸波導102與所述波長轉換器2進行光導通； 所述光探測結構4用于探測所述第二耦合器3輸出的光信號； 所述波長轉換器2為對預設材質的薄膜層進行刻蝕處理得到的，所述預設材質包括鈮酸鋰；所述波長轉換器2包括鈮酸鋰波導層，所述鈮酸鋰波導層的厚度為100nm-800nm；所述波長轉換器2用于將所述第一耦合器1輸出的1100nm-2000nm的光信號的波長轉換至600nm-1000nm之內，并將經過所述波長轉換后的光信號傳輸至所述第二耦合器3。

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