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龍圖騰網獲悉中國科學院光電技術研究所申請的專利襯底上光刻結構的返工清洗方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440576B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211219249.2，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權襯底上光刻結構的返工清洗方法是由羅先剛;朱瑤瑤;羅云飛;劉凱鵬;張譯尹;趙澤宇設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本襯底上光刻結構的返工清洗方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種襯底上光刻結構的返工清洗方法，返工的光刻結構自下而上包括襯底、有機底層結構層、硅氧基硬掩模中間結構層、光刻膠層，該方法包括：S1，利用干法刻蝕或濕法清洗去除光刻膠層；S2，利用反應離子刻蝕去除硅氧基硬掩模中間結構層；S3，利用電感耦合等離子體刻蝕去除有機底層結構層；S4，利用反應離子刻蝕對襯底表面的殘留微粒進行傾斜刻蝕，以減小殘留微粒與襯底的接觸面積；S5，將S4所得的襯底依次置于有機溶劑中浸泡、去離子水中清洗；S6，將S5所得的襯底置于加熱的濃硫酸與過氧化氫混合溶液中浸泡，以去除傾斜刻蝕后的殘留微粒；再使用去離子水清洗，完成返工清洗。本公開的方法能有效去除殘留微粒，使襯底達到重復利用的標準。

本發明授權襯底上光刻結構的返工清洗方法在權利要求書中公布了：1.一種襯底上光刻結構的返工清洗方法，返工的光刻結構自下而上包括襯底（2）、有機底層結構層（3）、硅氧基硬掩模中間結構層（4）、光刻膠層（5），其特征在于，包括： S1，利用干法刻蝕或濕法清洗去除所述光刻膠層（5）； S2，利用反應離子刻蝕去除所述硅氧基硬掩模中間結構層（4）； S3，利用電感耦合等離子體刻蝕去除所述有機底層結構層（3）； S4，利用反應離子刻蝕對所述襯底（2）表面的殘留微粒（6）進行傾斜刻蝕，以減小所述殘留微粒（6）與所述襯底（2）的接觸面積，得到傾斜刻蝕后的殘留微粒（7）；利用反應離子刻蝕將所述襯底（2）表面的殘留微粒（6）的縱向截面或縱向截面的下部分刻蝕成倒梯形； S5，將S4所得的襯底（2）依次置于有機溶劑中浸泡、去離子水中清洗； S6，將S5所得的襯底（2）置于加熱的濃硫酸與過氧化氫混合溶液中浸泡，以去除所述傾斜刻蝕后的殘留微粒（7）；再使用去離子水清洗，完成返工清洗流程。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院光電技術研究所，其通訊地址為：610209 四川省成都市雙流350信箱；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。