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龍圖騰網(wǎng)獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種深溝槽隔離結構的改善方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN117637596B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202410011750.2，技術領域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權一種深溝槽隔離結構的改善方法是由謝輝;陳獻龍;韓佳錫設計研發(fā)完成，并于2024-01-04向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種深溝槽隔離結構的改善方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種深溝槽隔離結構的改善方法，應用于半導體技術領域。具體的，其可先在基底上形成多個深溝槽，以通過不同區(qū)域深溝槽的數(shù)量不同，將所述基底劃分為圖形密集區(qū)和圖形稀疏區(qū)，之后在形成填充在該基底上的深溝槽隔離結構的膜層結構，即第一硬掩膜層、第二硬掩膜層和多晶硅層，之后再對所述深溝槽隔離結構的膜層結構進行化學機械研磨工藝，并具體將該化學機械研磨工藝分成三個采用兩種研磨液的研磨盤進行，進而實現(xiàn)在將多晶硅層和第二硬掩膜層全部去除的同時，減少過研磨步驟的研磨時長，改善圖形密集區(qū)和圖形稀疏區(qū)之間的硬掩膜層的厚度差，且避免形成的深溝槽隔離結構表面發(fā)生蝕坑或碟形坑缺陷等問題的目的。

本發(fā)明授權一種深溝槽隔離結構的改善方法在權利要求書中公布了：1.一種深溝槽隔離結構的改善方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括圖形密集區(qū)和圖形稀疏區(qū)，所述圖形密集區(qū)的圖形密度大于所述圖形稀疏區(qū)的圖形密度，所述基底上形成有第一硬掩膜層； 刻蝕所述基底，以在所述圖形密集區(qū)和圖形稀疏區(qū)的基底內形成多個深溝槽； 形成第二硬掩膜層和多晶硅層，所述第二硬掩膜層位于相鄰所述深溝槽之間的所述第一硬掩膜層上，所述多晶硅層填滿所述深溝槽并延伸覆蓋在所述第二硬掩膜層上； 使用第一研磨液對放置在第一研磨盤上的所述基底進行第一次研磨，以去除部分所述多晶硅層； 以所述第二硬掩膜層為研磨停止層，使用第二研磨液對放置在第二研磨盤上的所述基底進行第二次研磨，以去除位于所述第二硬掩膜層上的剩余多晶硅層，并同時允許所述第二硬掩膜層的部分表面殘留有部分所述多晶硅層，即得到較為平整的第二硬掩膜層界面，所述第二次研磨包括過研磨步驟，該過研磨步驟的研磨時長為：10s~20s； 以所述第一硬掩膜層為研磨停止層，使用所述第一研磨液對放置在第三研磨盤上的所述基底進行第三次研磨，以去除所述第二硬掩膜層，且得到平整的第一硬掩膜層界面，所述第三次研磨包括過研磨步驟，該過研磨步驟的研磨時長為：8s~12s； 其中，在進行所述研磨時，所述第一研磨盤的壓力等于第二研磨盤的壓力，且所述第二研磨盤的壓力大于所述第三研磨盤的壓力。

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