哈爾濱工業大學張甲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學申請的專利一種基于In2Se3/InSe垂直異質結的壓電型氣壓傳感器及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119533751B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411710150.1，技術領域涉及：G01L9/08；該發明授權一種基于In2Se3/InSe垂直異質結的壓電型氣壓傳感器及其制備方法與應用是由張甲;梁帥;李松霖;安煦陽設計研發完成，并于2024-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于In2Se3/InSe垂直異質結的壓電型氣壓傳感器及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于In2Se3InSe垂直異質結的壓電型氣壓傳感器及其制備方法與應用，屬于傳感儀器構建技術領域。本發明以In2Se3InSe垂直異質結薄膜作為氣壓敏感層制備了壓電型氣壓傳感器，氣壓帶來的應力變化將改變In2Se3InSe垂直異質結的能帶結構，從而產生壓電電壓。這一變化可以通過電荷放大器檢測其電壓變化來進行監測，從而實現對微小氣壓變化的高靈敏度響應。本發明的壓電型氣壓傳感器體積小、靈敏度高，為高精度氣壓檢測提供了一種簡單、靈敏且穩定的設備及檢測方法。
本發明授權一種基于In2Se3/InSe垂直異質結的壓電型氣壓傳感器及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種基于In2Se3InSe垂直異質結的壓電型氣壓傳感器，其特征在于，包括第一電絕緣層、襯底、第二電絕緣層、底電極、氣壓敏感層、頂電極和位于所述氣壓敏感層側面的側電極；其中，所述第一電絕緣層和所述第二電絕緣層分別設置在所述襯底兩側，所述底電極鑲嵌在所述第二電絕緣層上表面；所述氣壓敏感層設置在所述底電極和所述第二電絕緣層的上表面，所述頂電極設置在所述氣壓敏感層的上表面； 所述氣壓敏感層為In2Se3InSe垂直異質結薄膜； 所述襯底和所述第二電絕緣層上設置有貫穿的微納米級陣列化凹腔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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