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龍圖騰網獲悉南通恒銳半導體有限公司申請的專利一種基于碳化硅厚膜外延片的二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120417406B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510908471.0，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權一種基于碳化硅厚膜外延片的二極管及其制備方法是由韓理想;李京波;張夢龍;王小周;張海平;羅昆明設計研發完成，并于2025-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于碳化硅厚膜外延片的二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體器件技術領域，具體涉及一種基于碳化硅厚膜外延片的二極管及其制備方法，本發明通過清洗、沉積二氧化硅層、刻蝕、離子注入、高溫退火、離子激活、再次沉積二氧化硅層、濺射離子等工序制備得到了二極管基于碳化硅厚膜外延片的二極管；又通過調整外延生長時的碳硅比等生長條件參數，實現對碳化硅厚膜外延片表面大凹坑缺陷形貌的控制，使得大凹坑缺陷控制為長條形，從而使電場聚集效應較小，相關的器件柵氧穩定性更好；并且在制備過程中使用含納米微粒的光刻膠，納米微粒在光照下會產生光生載流子還可以捕獲電子，從而大幅提升了器件的響應度；因此本發明制備的二極管具有更廣泛的應用前景。

本發明授權一種基于碳化硅厚膜外延片的二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于碳化硅厚膜外延片的二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟： 步驟S1.用食人魚溶液清洗碳化硅厚膜外延片3-5次，并用氮氣吹干后生長一層厚度為100-200nm厚的二氧化硅，得到沉積片； 步驟S2.用光刻膠對沉積片掩膜，去除光刻膠后進行等離子體刻蝕，刻蝕深度為3-5μm，得到刻蝕片； 步驟S3.將晶圓送入離子注入機，對刻蝕片進行Al+離子注入，之后沉積一層厚度為1-3μm的二氧化硅，再在氮氣氛圍下于1000-1100℃下處理15-20min，得到激活片； 步驟S4.在激活片表面沉積一層5-8μm厚的二氧化硅，之后在背面濺射一層厚度為3-5μm的鎳，快速退火，得到歐姆接觸片； 步驟S5.用大P區開孔板對歐姆接觸片正面進行深度為5-10μm刻蝕，之后用大P區金屬定義板進行光刻，再在大P區濺射一層硼離子薄膜，最后剝離并快速退火，得到大P區開孔片； 步驟S6.在片表面沉積一層3-5μm厚的SiO2和Si3N4，之后用有源區開孔板進行深度為3-5μm的刻蝕，得到有源區開孔片； 步驟S7.用肖特基區開孔板對有源區開孔片進行5-10μm厚的刻蝕，之后濺射一層13-15μm厚的Ti金屬，再用陽極金屬定義板進行深度為1-2μm的刻蝕，最后通過濕法腐蝕完成正面金屬的圖形化后得到二極管； 所述碳化硅厚膜外延片的制備方法如下： 步驟A1.以氮氣為摻雜氣體，氮氣的摻雜濃度為1017-1019cm-3，在溫度為1520-1690℃、腔壓為60-130mbar、碳硅比為1.00-1.03、生長速度為3-20μmh的條件下在碳化硅襯底上外延生長3-40min，得到緩沖層附著片； 步驟A2.以氮氣為摻雜氣體，在溫度為1520-1690℃、腔壓為60-130mbar，碳硅比為1.00-1.03，生長速度為10-100μmh的條件下在緩沖層附著片上生長7-60min，得到碳化硅厚膜外延片。

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