恩智浦美國有限公司魏允獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉恩智浦美國有限公司申請的專利包含多路徑集成無源裝置的功率放大器封裝獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113130465B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011585149.2,技術領域涉及:H10D80/30;該發明授權包含多路徑集成無源裝置的功率放大器封裝是由魏允;瑞卡都·優斯庫拉;蒙特·吉恩·米勒設計研發完成,并于2020-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本包含多路徑集成無源裝置的功率放大器封裝在說明書摘要公布了:本發明公開了例如多爾蒂PA封裝的功率放大器PA封裝,所述PA封裝包含多路徑集成無源裝置IPD。在實施例中,所述PA封裝包括:封裝主體,第一信號放大路徑和第二信號放大路徑延伸穿過所述封裝主體;第一放大器管芯,所述第一放大器管芯在所述封裝主體內且定位在所述第一信號放大路徑中;以及第二放大器管芯,所述第二放大器管芯在所述封裝主體內且定位在所述第二信號放大路徑中。多路徑IPD另外包含在所述封裝主體中。所述多路徑IPD包括:第一IPD區,所述第一信號放大路徑延伸穿過所述第一IPD區;第二IPD區,所述第二信號放大路徑延伸穿過所述第二IPD區;以及隔離區,所述隔離區形成于所述IPD基板中,在所述第一IPD區和所述第二IPD區中間的位置。
本發明授權包含多路徑集成無源裝置的功率放大器封裝在權利要求書中公布了:1.一種功率放大器PA封裝,其特征在于,包括: 封裝主體,第一信號放大路徑和第二信號放大路徑延伸穿過所述封裝主體; 第一放大器管芯,所述第一放大器管芯包含在所述封裝主體內且定位在所述第一信號放大路徑中; 第二放大器管芯,所述第二放大器管芯包含在所述封裝主體內且定位在所述第二信號放大路徑中,所述第二放大器管芯沿著第一軸線與所述第一放大器管芯間隔開;以及 多路徑集成無源裝置IPD,所述多路徑IPD另外包含在所述封裝主體內,所述多路徑IPD包括: IPD基板; 第一電隔離IPD區,所述第一信號放大路徑延伸穿過所述第一IPD區,所述第一IPD區在第一位置處形成于所述IPD基板中; 第二電隔離IPD區,所述第二信號放大路徑延伸穿過所述第二IPD區,所述第二IPD區在第二位置處形成于所述IPD基板中,所述第二位置沿著平行于所述第一軸線的第二軸線與所述第一位置間隔開;以及 隔離區,所述隔離區在所述第一位置與所述第二位置中間的第三位置處形成于所述IPD基板中; 其中所述PA封裝另外包括: 電磁EM隔離結構,所述EM隔離結構耦合到所述隔離區,且從所述多路徑IPD延伸到所述第一放大器管芯與所述第二放大器管芯之間的區域上方,其中所述EM隔離結構包括線圍欄,所述線圍欄包括接觸位于所述多路徑IPD的所述隔離區中的一個或多個鍵合墊的多個鍵合線; 導電凸緣,所述第一放大器管芯、所述第二放大器管芯和所述IPD基板附接到所述導電凸緣; 其中所述線圍欄通過所述多路徑IPD電耦合到所述導電凸緣。
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