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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第五十五研究所申請的專利抗單粒子柵極損傷的功率MOSFET柵極結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115148819B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210712377.4，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權抗單粒子柵極損傷的功率MOSFET柵極結構及制備方法是由張騰;李強;劉俊修;劉濤;柏松;黃潤華設計研發完成，并于2022-06-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本抗單粒子柵極損傷的功率MOSFET柵極結構及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開抗單粒子柵極損傷的功率MOSFET柵極結構及制備方法，結構包括第一導電類型外延層漂移區、第二導電類型阱區、第一導電類型源區、第二導電類型重摻雜區、第一隔離柵介質層、第二隔離柵介質層、柵電極、鈍化層、源極金屬電極。本發明通過引入高介電常數的第二隔離柵介質層，形成復合柵結構，在提高器件單粒子柵穿抗性的同時可以提升總劑量輻照抗性。此外，本發明借助第二隔離柵介質層對JFET區中部的柵氧進行加厚，可進一步降低器件的單粒子輻照柵極損傷。

本發明授權抗單粒子柵極損傷的功率MOSFET柵極結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種抗單粒子柵極損傷的功率MOSFET柵極結構，其特征在于，包括： 第一導電類型外延層漂移區； 位于所述第一導電類型外延層漂移區上的第二導電類型阱區，相鄰所述第二導電類型阱區之間形成JFET區； 位于所述第二導電類型阱區內的第一導電類型源區，所述第二導電類型阱區與所述第一導電類型源區之間在靠近JFET區的一側形成溝道區； 位于所述第二導電類型阱區內，且遠離所述JFET區的第二導電類型重摻雜區； 第一隔離柵介質層，所述第一隔離柵介質層設置于所述第一導電類型外延層漂移區頂部，所述第一隔離柵介質層為中間厚、兩側薄的結構，所述第一隔離柵介質層厚度沿水平方向變化的部分形成鳥嘴區； 第二隔離柵介質層，所述第二隔離柵介質層設置于所述第一隔離柵介質層頂部； 柵電極，所述柵電極設置于所述第二隔離柵介質層頂部； 鈍化層，所述鈍化層設置于所述第二隔離柵介質層上，且包覆所述柵電極； 設置于所述第一隔離柵介質層兩側及所述鈍化層上方的源極金屬電極，且所述源極金屬電極設置于所述第二導電類型重摻雜區和部分第一導電類型源區上方； 所述第二隔離柵介質層的介電常數大于所述第一隔離柵介質層的介電常數； 所述第二隔離柵介質層覆蓋全部的溝道區，且在所述JFET區上方不連續，所述第二隔離柵介質層靠近JFET區的一端位于所述鳥嘴區的上方，所述第二隔離柵介質層遠離JFET區的一端位于所述第一導電類型源區的上方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第五十五研究所，其通訊地址為：210016 江蘇省南京市秦淮區中山東路524號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。