上海華力集成電路制造有限公司鄭科城獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利一種增強后段集成RRAM結構側壁保護的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132922B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210783762.8，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種增強后段集成RRAM結構側壁保護的方法是由鄭科城;張武志;趙慶賀設計研發完成，并于2022-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種增強后段集成RRAM結構側壁保護的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種增強后段集成RRAM結構側壁保護的方法，氧化硅層中形成有貫通其上下表面的金屬結構；在氧化硅層以及所述金屬結構上形成NDC層，在金屬結構上的NDC層中形成貫通其上下表面的鎢結構；在NDC層上表面形成覆蓋鎢結構的RRAM結構，之后在RRAM結構上形成第一氮化硅層；在NDC層以及所述第一氮化硅層上覆蓋第二氮化硅層，第二氮化硅層同時覆蓋所述RRAM結構的側壁；刻蝕去除NDC層上的所述第二氮化硅層，并保留RRAM結構側壁的第二氮化硅層。本發明不改變通孔和金屬層高度的情況下，將RRAM集成進去，這充分保障了后段制程電性的一致性。
本發明授權一種增強后段集成RRAM結構側壁保護的方法在權利要求書中公布了：1.一種增強后段集成RRAM結構側壁保護的方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供氧化硅層，所述氧化硅層中形成有貫通其上下表面的金屬結構； 步驟二、在所述氧化硅層以及所述金屬結構上形成NDC層，在所述金屬結構上的所述NDC層中形成貫通其上下表面的鎢結構； 步驟三、在所述NDC層上表面形成覆蓋所述鎢結構的RRAM結構，之后在所述RRAM結構上形成第一氮化硅層； 步驟四、在所述NDC層以及所述第一氮化硅層上覆蓋第二氮化硅層，所述第二氮化硅層同時覆蓋所述RRAM結構的側壁； 步驟五、刻蝕去除所述NDC層上的所述第二氮化硅層，并保留所述RRAM結構側壁的所述第二氮化硅層； 步驟六、在所述NDC層以及所述RRAM結構上的所述第二氮化硅層上覆蓋氧化硅； 步驟七、在所述氧化硅中形成貫通其上表面至所述RRAM結構上表面的第三通孔； 步驟八、在所述第三通孔中填充金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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