西安微電子技術研究所張娟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安微電子技術研究所申請的專利一種抗輻照負載點電源的多基板堆疊結構及其組裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115346974B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210957437.9，技術領域涉及：H10D80/20；該發明授權一種抗輻照負載點電源的多基板堆疊結構及其組裝方法是由張娟;張小峰;曹鵬輝;劉家龍;付翀麗;王俊峰設計研發完成，并于2022-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種抗輻照負載點電源的多基板堆疊結構及其組裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種抗輻照負載點電源的多基板堆疊結構及其組裝方法，堆疊結構包括管殼、AMB陶瓷基板、功率芯片組、控制芯片組和Al2O3厚膜多層陶瓷基板；所述AMB陶瓷基板焊接在管殼上，Al2O3厚膜多層陶瓷基板粘接在AMB陶瓷基板上，所述AMB陶瓷基板與Al2O3厚膜多層陶瓷基板之間通過金屬絲鍵合互聯，功率芯片組貼裝在AMB陶瓷基板上，控制芯片組貼裝在Al2O3厚膜多層陶瓷基板上，蓋板與管殼之間采用平行縫焊焊接。通過多基板堆疊結構提高了大負載電流條件下抗輻照負載點電源的組裝密度，降低了導帶阻抗和基板熱阻，提高了負載點電源的功率密度和轉換效率。
本發明授權一種抗輻照負載點電源的多基板堆疊結構及其組裝方法在權利要求書中公布了：1.一種抗輻照負載點電源的多基板堆疊結構，其特征在于，包括管殼1、AMB陶瓷基板3、功率芯片組、控制芯片組和Al2O3厚膜多層陶瓷基板15； 所述AMB陶瓷基板3焊接在管殼1上，Al2O3厚膜多層陶瓷基板15粘接在AMB陶瓷基板3上，所述AMB陶瓷基板3與Al2O3厚膜多層陶瓷基板15之間通過金屬絲鍵合互聯，功率芯片組貼裝在AMB陶瓷基板3上，控制芯片組貼裝在Al2O3厚膜多層陶瓷基板15上，蓋板7與管殼1之間采用平行縫焊焊接。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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