中科納米張家港化合物半導體研究所熊敏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中科納米張家港化合物半導體研究所申請的專利垂直腔面發射激光器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115799987B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211542060.7，技術領域涉及：H01S5/183；該發明授權垂直腔面發射激光器及其制作方法是由熊敏;董旭;朱杰設計研發完成，并于2022-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本垂直腔面發射激光器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種垂直腔面發射激光器及其制作方法，垂直腔面發射激光器包括第一周期性層疊鏡面結構；p型接觸層，形成于所述第一周期性層疊鏡面結構上；發光層，形成于所述p型接觸層上；第二周期性層疊鏡面結構，形成于所述發光層上；以及n型接觸層，形成于所述第二周期性層疊鏡面結構上；其中，所述n型接觸層以及所述第二周期性層疊鏡面結構內形成有第一擴散區，所述第一擴散區可限制載流子在所述n型接觸層以及所述第二周期性層疊鏡面結構內的傳輸。本發明的垂直腔面發射激光器，其能夠針對n型摻雜區域的p型擴散摻雜，利用摻雜補償形成高阻區域來進行電流限制，實現激光出射。
本發明授權垂直腔面發射激光器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括： 第一周期性層疊鏡面結構； p型接觸層，形成于所述第一周期性層疊鏡面結構上； 發光層，形成于所述p型接觸層上； 第二周期性層疊鏡面結構，形成于所述發光層上；以及 n型接觸層，形成于所述第二周期性層疊鏡面結構上； 其中，所述n型接觸層以及所述第二周期性層疊鏡面結構內形成有p型擴散摻雜補償的第一擴散區，所述第一擴散區可限制載流子在所述n型接觸層以及所述第二周期性層疊鏡面結構內的傳輸，通過利用摻雜補償形成高阻區域來進行電流限制。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中科納米張家港化合物半導體研究所，其通訊地址為：215600 江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮福新路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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