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龍圖騰網(wǎng)獲悉復(fù)旦大學(xué);上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司申請的專利一種圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管以及制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116314306B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211566349.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權(quán)一種圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管以及制作方法是由吳春蕾;許煜民;沈伯僉;趙斐;楊子辰;張衛(wèi)設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管以及制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管，包括：襯底；襯底上包括：第一外延區(qū)、第二外延區(qū)、第一溝道區(qū)、第二溝道區(qū)以及第三溝道區(qū)；第一外延層形成于第一外延區(qū)；第二外延層形成于第二外延區(qū)；若干第一溝道層沿遠(yuǎn)離襯底的方向上堆疊，且相鄰兩第一溝道層之間通過溝道空腔間隔；其中，第一溝道層包括第一溝道部、第二溝道部以及第三溝道部；內(nèi)側(cè)墻；填充于第一溝道區(qū)和第三溝道區(qū)的溝道空腔中；第二溝道層、柵介質(zhì)層以及控制柵；均形成于第二溝道區(qū)中；其中，第一溝道部中摻雜有第一離子，第二溝道層中摻雜有第二離子；第一離子和第二離子的類型不同；以解決如何增大圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管的開態(tài)電流的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管以及制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種圍柵隧穿場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括： 襯底；所述襯底上包括：第一外延區(qū)、第二外延區(qū)、第一溝道區(qū)、第二溝道區(qū)以及第三溝道區(qū)；其中，所述第一溝道區(qū)、所述第二溝道區(qū)以及所述第三溝道區(qū)沿第一方向依次排列；所述第一方向表征了所述第一外延區(qū)指向所述第二外延區(qū)的方向； 第一外延層，形成于所述第一外延區(qū)； 第二外延層，形成于所述第二外延區(qū)； 若干第一溝道層；所述若干第一溝道層覆蓋所述第一溝道區(qū)、所述第二溝道區(qū)以及所述第三溝道區(qū)，每層第一溝道層的兩端均分別接觸所述第一外延層和所述第二外延層，并且所述若干第一溝道層沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向上堆疊，且相鄰兩第一溝道層之間通過溝道空腔間隔；其中，所述每層第一溝道層均包括第一溝道部、第二溝道部以及第三溝道部；所述第一溝道部覆蓋所述第一溝道區(qū)和部分所述第二溝道區(qū)，所述第二溝道部形成于所述第二溝道區(qū)的其它部分，所述第三溝道部形成于所述第三溝道區(qū)； 內(nèi)側(cè)墻；填充于所述第一溝道區(qū)和所述第三溝道區(qū)的溝道空腔中； 第二溝道層、柵介質(zhì)層以及控制柵；均形成于所述第二溝道區(qū)中；其中，所述第二溝道層包裹部分所述第一溝道部和所述第二溝道部；所述柵介質(zhì)層包圍所述第二溝道層；所述控制柵包圍所述柵介質(zhì)層； 其中，所述第一溝道部中摻雜有第一離子，所述第二溝道層中摻雜有第二離子；所述第一離子和所述第二離子的類型不同；所述第一外延層為源區(qū)或漏區(qū)，所述第二外延層對應(yīng)地為漏區(qū)或源區(qū)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人復(fù)旦大學(xué);上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。