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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學(xué);杭州悅芯微電子有限公司申請的專利一種SAR ADC分段結(jié)構(gòu)低段寄生校正方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115913230B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211685228.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03M1/10；該發(fā)明授權(quán)一種SAR ADC分段結(jié)構(gòu)低段寄生校正方法是由何樂年;施政學(xué);奚劍雄;張嘯蔚設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種SAR ADC分段結(jié)構(gòu)低段寄生校正方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種SARADC分段結(jié)構(gòu)低段寄生校正方法，該校正方法在傳統(tǒng)分段SARADC的基礎(chǔ)上增加一個額外的基準(zhǔn)源以消除橋電容分段后低段陣列寄生電容的影響，從而增加低段電容的位數(shù)，降低單位電容的容值，進(jìn)而降低電容陣列的總?cè)葜狄詼p小功耗。該校正方法在上電后可根據(jù)數(shù)字邏輯進(jìn)行自動校正，首先測量比較器的失調(diào)以避免比較器失調(diào)對校正結(jié)果的影響，隨后會逐次逼近確定可調(diào)基準(zhǔn)源輸出電壓的大小以消除寄生電容的影響，結(jié)果會存儲在寄存器中，當(dāng)進(jìn)行正常轉(zhuǎn)換時讀取寄存器中的校正碼，如此可以消除寄生電容帶來的影響。本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于SARADC設(shè)計中，用于減小電容面積和降低功耗。

本發(fā)明授權(quán)一種SAR ADC分段結(jié)構(gòu)低段寄生校正方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SARADC分段結(jié)構(gòu)低段寄生校正方法，其特征在于：所述SARADC包括差分DAC陣列、比較器以及參考電壓源，所述參考電壓源包含一個基準(zhǔn)電壓VREF和一個可調(diào)節(jié)電壓VREFB，所述可調(diào)節(jié)電壓VREFB為在給定基準(zhǔn)電壓VREF的基礎(chǔ)上進(jìn)行改造所產(chǎn)生編程可變的參考電壓，用于校正生產(chǎn)制造過程中低段陣列產(chǎn)生的電容寄生對權(quán)重誤差帶來的影響； 所述校正方法首先利用差分DAC陣列通過模擬的方法逐次比較以獲取比較器失調(diào)電壓編碼，然后根據(jù)該編碼調(diào)節(jié)LSB段下極板連接的VREFB，消除在生產(chǎn)制造過程中不可避免的LSB段寄生電容對SARADC線性度帶來的影響，過程中利用比較器失調(diào)編碼消除比較器失調(diào)的影響，具體過程如下： 步驟B1.對P極寄生電容進(jìn)行校正，具體過程如下： 采樣階段，所有電容的上極板接共模電壓VCM，LSB段SPH的下極板接地，MSB段SPH中最低位電容的下極板接VREF，其余位電容的下極板接地；LSB段SPL的下極板接地，MSB段SPL的下極板接VREF，所有SNH的下極板接地，所有SNL的下極板接VREF； 轉(zhuǎn)換比較階段，斷開電容上極板與VCM的連接，將LSB段SPH中最低位電容的下極板改接VREFB，其余位電容的下極板保持不變；LSB段SPL的下極板改接VREFB，MSB段SPL中最低位電容的下極板改接地，其余位電容的下極板保持不變；所有SNH和SNL下極板開關(guān)讀取對應(yīng)N端校正的比較器失調(diào)電壓編碼進(jìn)行開關(guān)動作； 根據(jù)比較器的比較結(jié)果，由高到低逐次調(diào)節(jié)VREFB的值得到VREFB的校正碼值：如果比較結(jié)果為N端小于P端，則降低VREFB的增益系數(shù)，令對應(yīng)位的校正碼值為0；如果比較結(jié)果為N端大于P端，則增加VREFB的增益系數(shù)，令對應(yīng)位的校正碼值為1； 步驟B2.對N極寄生電容進(jìn)行校正，具體過程如下： 采樣階段，所有電容的上極板接共模電壓VCM，LSB段SNH的下極板接地，MSB段SNH中最低位電容的下極板接VREF，其余位電容的下極板接地；LSB段SNL的下極板接地，MSB段SNL的下極板接VREF，所有SPH的下極板接地，所有SPL的下極板接VREF； 轉(zhuǎn)換比較階段，斷開電容上極板與VCM的連接，將LSB段SNH中最低位電容的下極板改接VREFB，其余位電容的下極板保持不變；LSB段SNL的下極板改接VREFB，MSB段SNL中最低位電容的下極板改接地，其余位電容的下極板保持不變；所有SPH和SPL下極板開關(guān)讀取對應(yīng)P端校正的比較器失調(diào)電壓編碼進(jìn)行開關(guān)動作； 根據(jù)比較器的比較結(jié)果，由高到低逐次調(diào)節(jié)VREFB的值得到VREFB的校正碼值：如果比較結(jié)果為P端小于N端，則降低VREFB的增益系數(shù)，令對應(yīng)位的校正碼值為0；如果比較結(jié)果為P端大于N端，則增加VREFB的增益系數(shù)，令對應(yīng)位的校正碼值為1； 步驟B3.重復(fù)步驟B1和B2多次，以消除熱噪聲對比較結(jié)果產(chǎn)生的影響，將得到的比較結(jié)果記錄在寄存器中并求平均值，即作為SARADC轉(zhuǎn)換階段VREFB的電壓取值。

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