北京旭燦半導體科技有限公司;東旭集團有限公司翟虎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京旭燦半導體科技有限公司;東旭集團有限公司申請的專利坩堝結構獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223304588U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422046381.9，技術領域涉及：C30B23/00；該實用新型坩堝結構是由翟虎;孫金梅;史永貴設計研發完成，并于2024-08-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本坩堝結構在說明書摘要公布了：本申請提供一種坩堝結構，涉及半導體單晶制備技術領域。坩堝結構，包括：坩堝本體，坩堝本體用于放置原料；籽晶拖，籽晶拖設置在坩堝本體的第一端，且與坩堝本體連接，籽晶拖具有至少部分為傾斜面的第一流通通道，第一流通通道與坩堝本體連通，以用于傳輸升華的原料；坩堝蓋，坩堝蓋蓋設在籽晶拖的第二端，且與籽晶拖連接，坩堝蓋朝向籽晶拖的一端設置有籽晶，第一流通通道的傾斜面朝向籽晶的方向傾斜，升華的原料通過第一流通通道傳輸至籽晶上，以形成碳化硅單晶。
本實用新型坩堝結構在權利要求書中公布了：1.一種坩堝結構，其特征在于，包括： 坩堝本體11，所述坩堝本體11用于放置原料； 籽晶拖12，所述籽晶拖12設置在所述坩堝本體11的第一端，且與所述坩堝本體11連接，所述籽晶拖12具有至少部分為傾斜面1221的第一流通通道，所述第一流通通道與所述坩堝本體11連通，以用于傳輸升華的原料； 坩堝蓋13，所述坩堝蓋13蓋設在所述籽晶拖12的第二端，且與所述籽晶拖12連接，所述坩堝蓋13朝向籽晶拖12的一端設置有籽晶，所述第一流通通道的傾斜面1221朝向所述籽晶的方向傾斜，升華的原料通過所述第一流通通道傳輸至籽晶上，以形成碳化硅單晶。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京旭燦半導體科技有限公司;東旭集團有限公司，其通訊地址為：101405 北京市懷柔區渤海鎮環鎮路82號1172室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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