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龍圖騰網(wǎng)獲悉嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司;揚(yáng)州阿特斯太陽能電池有限公司申請(qǐng)的專利太陽能電池的制備方法及太陽能電池獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120076463B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510534259.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)太陽能電池的制備方法及太陽能電池是由韓合坤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-04-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本太陽能電池的制備方法及太陽能電池在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種太陽能電池的制備方法及太陽能電池，制備方法包括采用鏈?zhǔn)剿峥涛g工藝去除所述硅襯底第一表面和側(cè)面上的第二掩膜層；采用鏈?zhǔn)綁A刻蝕工藝去除所述硅襯底第一表面和側(cè)面上的第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)；采用槽式刻蝕工藝去除所述硅襯底第二表面第一區(qū)域和第三區(qū)域的第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，在所述硅襯底第二表面的第三區(qū)域以及第一表面上形成絨面陷光結(jié)構(gòu)，并去除所述硅襯底第二表面的第一區(qū)域的第一掩膜層及第二區(qū)域的第二掩膜層。本發(fā)明的太陽能電池的制備方法及太陽能電池，能優(yōu)化電池制備工藝、保護(hù)環(huán)境、提高絨面質(zhì)量、提高電池效率。

本發(fā)明授權(quán)太陽能電池的制備方法及太陽能電池在權(quán)利要求書中公布了：1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括： 提供一硅襯底，所述硅襯底包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面以及側(cè)面，所述第二表面包括間隔分布的第一區(qū)域和第二區(qū)域，以及位于所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，所述硅襯底第二表面的第一區(qū)域依次形成有第一隧穿鈍化結(jié)構(gòu)、第一掩膜層和第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，所述硅襯底第二表面的第二區(qū)域依次形成有第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)和第二掩膜層，所述硅襯底第二表面的第三區(qū)域形成有第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，所述硅襯底第一表面和側(cè)面上依次形成第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)和第二掩膜層； 采用鏈?zhǔn)剿峥涛g工藝去除所述硅襯底第一表面和側(cè)面上的第二掩膜層； 采用第二刻蝕液進(jìn)行鏈?zhǔn)綁A刻蝕工藝去除所述硅襯底第一表面和側(cè)面上的第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，所述第二刻蝕液包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%-20%的堿溶液； 采用第三刻蝕液進(jìn)行槽式刻蝕工藝去除所述硅襯底第二表面第一區(qū)域和第三區(qū)域的第二隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，在所述硅襯底第二表面的第三區(qū)域以及第一表面上形成絨面陷光結(jié)構(gòu)，所述第三刻蝕液包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%-1.5%的堿溶液，形成絨面陷光結(jié)構(gòu)的制絨時(shí)間為650s-950s； 采用槽式刻蝕工藝去除所述硅襯底第二表面的第一區(qū)域的第一掩膜層及第二區(qū)域的第二掩膜層。

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