臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司陳正龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司申請的專利具有包括多個區的漏極阱的集成電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114068712B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011082905.X，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權具有包括多個區的漏極阱的集成電路是由陳正龍設計研發完成，并于2020-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有包括多個區的漏極阱的集成電路在說明書摘要公布了：本公開涉及具有包括多個區的漏極阱的集成電路。一種集成電路包括：漂移區域，在襯底中；漏極，在襯底中，該漏極包括摻雜漏極阱，該摻雜漏極阱包括：第一區，具有第一濃度的第一摻雜劑；以及第二區，具有第二濃度的第一摻雜劑，其中第一濃度小于第二濃度；以及柵極電極，在漂移區域之上并且在與襯底的頂表面平行的方向上與摻雜漏極阱分開大于0的距離。
本發明授權具有包括多個區的漏極阱的集成電路在權利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括： 漂移區域，在襯底中； 漏極，在所述襯底中，其中，所述漏極包括摻雜漏極阱，其中，所述摻雜漏極阱包括： 第一區，其中，所述第一區具有第一濃度的第一摻雜劑；以及 第二區，其中，所述第二區具有第二濃度的所述第一摻雜劑，所述第一區的最頂表面與所述第二區的最頂表面共面，并且所述第一濃度小于所述第二濃度；以及 柵極電極，在所述漂移區域之上，所述柵極電極在與所述襯底的頂表面平行的方向上與所述摻雜漏極阱分開大于0的距離， 其中，所述第一區在所述襯底的頂表面處在所述第二區與所述漂移區域之間具有第一寬度，并且在所述第二區的底部處在所述第二區與所述漂移區域之間具有第二寬度，其中，所述第一寬度和所述第二寬度是在與所述襯底的頂表面平行的方向上測量的不同寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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