朗姆研究公司丹尼斯·M·豪斯曼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉朗姆研究公司申請的專利SiO2在銅存在下在電介質表面上的選擇性生長獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111373507B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880075646.2，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權SiO2在銅存在下在電介質表面上的選擇性生長是由丹尼斯·M·豪斯曼;亞力山大·R·福克斯;科琳·勞勒設計研發完成，并于2018-11-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本SiO2在銅存在下在電介質表面上的選擇性生長在說明書摘要公布了：提供了用于相對于諸如銅之類的含金屬表面在電介質表面上選擇性地沉積氧化硅的方法和設備。所述方法包括使具有電介質表面和銅表面的襯底暴露于銅封閉劑如烷基硫醇以使其選擇性吸附到銅表面上，使襯底暴露于含硅前體以沉積氧化硅，使襯底暴露于弱氧化劑氣體并點燃等離子體以將吸附的含硅前體轉化以形成氧化硅，然后使襯底暴露于還原劑以還原暴露于弱氧化劑氣體的任何氧化的銅。
本發明授權SiO2在銅存在下在電介質表面上的選擇性生長在權利要求書中公布了：1.一種相對于襯底上的銅選擇性地在介電材料上沉積氧化硅的方法，該方法包括： a提供包含所述介電材料和暴露的銅金屬表面的所述襯底； b在沉積所述氧化硅之前，使所述襯底暴露于銅封閉劑以使其選擇性地吸附到所述暴露的銅金屬表面上； c使所述襯底暴露于含硅前體，以使所述含硅前體吸附到所述介電材料上； d使所述襯底暴露于在包含弱氧化劑的環境中產生的氧化等離子體，以將所吸附的所述含硅前體轉化為氧化硅；以及 e使所述襯底暴露于還原劑以還原所述暴露的銅金屬表面, 其中所述還原劑選自由氫氣、氫等離子體、肼氣、肼等離子體、氨氣、氨等離子體、醇和醛組成的群組。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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