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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利碳化硅外延設備及碳化硅外延層制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115852490B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211664730.2，技術領域涉及：C30B29/36；該發明授權碳化硅外延設備及碳化硅外延層制備方法是由劉興昉;楊尚宇;閆果果;王雷;趙萬順;孫國勝;曾一平設計研發完成，并于2022-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅外延設備及碳化硅外延層制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種碳化硅外延設備，包括：備樣室、多個中轉室、反應室以及取樣室。其中，備樣室適用于提供放置裝載有襯底晶圓片的托盤的空間；多個中轉室，分別設置于備樣室與第一生長室之間、第一生長室和第二生長室之間以及第二生長室與取樣室之間，適用于對托盤提供暫存的空間；反應室，包括：第一生長室、第二生長室以及第三生長室；第一生長室適用于提供生長緩沖層的反應空間；第二生長室適用于提供生長N型外延層的反應空間；第三生長室適用于提供生長P型外延層的反應空間；取樣室適用于放置裝載有反應完成的晶圓片的托盤；其中，各室均配置有氣墊導軌，氣墊導軌上設置有多個自動氣墊機構；并且相鄰兩室之間通過閥門連接。

本發明授權碳化硅外延設備及碳化硅外延層制備方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅外延設備，包括： 備樣室，適用于提供放置裝載有襯底晶圓片的托盤的空間； 多個中轉室，分別設置于所述備樣室與第一生長室之間、第一生長室和第二生長室之間以及所述第二生長室與取樣室之間，適用于對所述托盤提供暫存的空間； 反應室，包括： 所述第一生長室，適用于提供生長緩沖層的反應空間； 所述第二生長室，適用于提供生長N型外延層的反應空間； 第三生長室，適用于提供生長P型外延層的反應空間； 所述取樣室，適用于放置裝載有反應完成的晶圓片的托盤； 其中，所述備樣室、所述多個中轉室、所述反應室以及所述取樣室配置有氣墊導軌，所述氣墊導軌上設置有多個自動氣墊機構；并且相鄰兩室之間通過閥門連接； 所述氣墊導軌包括第一氣墊導軌和第二氣墊導軌； 所述第一氣墊導軌和所述第二氣墊導軌的結構相同，均包括：懸浮氣室、前進氣室以及后退氣室； 所述懸浮氣室、所述前進氣室以及所述后退氣室分別適用于控制所述氣墊導軌上的所述多個自動氣墊機構呈現懸浮、前進以及后退的工作狀態； 其中，所述懸浮氣室、所述前進氣室以及所述后退氣室分別配置有一個獨立的氣體入口和多個獨立的氣體出口。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區清華東路甲35號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。