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龍圖騰網獲悉上海藍瑞電氣有限公司申請的專利相控消弧線圈的一種可控硅占空比閉環控制方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118676880B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310254332.1，技術領域涉及：H02H9/08；該發明授權相控消弧線圈的一種可控硅占空比閉環控制方法及系統是由舒勇設計研發完成，并于2023-03-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本相控消弧線圈的一種可控硅占空比閉環控制方法及系統在說明書摘要公布了：本發明公開了相控消弧線圈的一種可控硅占空比閉環控制方法及系統，相控消弧線圈補償電流檔位控制方式。與傳統的可控硅導通角控制方式不同的是通過調理電路將可控硅兩端電壓轉換成可控硅導通狀態并對可控硅進行占空比閉環控制。控制不依賴于消弧線圈兩端零序電壓的過零點檢測，在電網諧波含量大零序電壓波形畸變嚴重時也能可靠控制消弧線圈補償電流檔位。

本發明授權相控消弧線圈的一種可控硅占空比閉環控制方法及系統在權利要求書中公布了：1.相控消弧線圈的一種可控硅占空比閉環控制方法，其特征在于，檢測可控硅兩端電壓來得到可控硅導通狀態，再根據消弧線圈補償電流檔位要求對可控硅進行占空比閉環控制；具體為： S1、消弧控制系統給出目標檔位，根據配置文件將所述目標檔位轉換成可控硅延時導通角θ，對應初始延時時間Tdelay，Tdelay＝θ10000*T，T為周期； S2、計算可控硅目標占空比ρ0，ρ0＝2*T-TdelayT＝2-θ5000，取值范圍0～1，0對應可控硅不導通，1對應可控硅全導通； S3、判斷所述可控硅目標占空比ρ0是否為0，若是，則停止輸出控制；若否，則繼續判斷控制是否運行； S4、若是，則不做處理，自動跟隨ρ0；若否，則啟動輸出控制； S5、控制開始第一周波按照傳統的可控硅導通角觸發方式，先檢測電壓過零點，從電壓過零點開始定時所述延時導通角θ對應的初始延時時間Tdelay，再發驅動控制可控硅導通； S6、采樣檢測可控硅導通到自然關斷時間Ton1，根據所述可控硅導通到自然關斷時間Ton1和周期T計算可控硅當前導通占空比ρ，ρ＝Ton1T； S7、將所述可控硅當前導通占空比ρ和所述S2中消弧控制系統給出的可控硅目標占空比ρ0一起輸入PID調節器，輸出可控硅控制占空比ρc，取值范圍0～1； S8、將所述可控硅控制占空比ρc結合周期T計算可控硅維持關斷時間Toff2，Toff2＝1-ρc*T； S9、從所述可控硅導通到自然關斷時間Ton1結束位置開始定時Toff2，時間延時到再發驅動控制可控硅導通，繼續采樣檢測可控硅導通到下一自然關斷時間Ton2； S10、根據所述下一自然關斷時間Ton2和修正后的控制周期T計算下一可控硅控制占空比，其中修正后的控制周期為所述下一自然關斷時間Toff2和所述可控硅維持關斷時間Ton2之和； S11、將所述下一可控硅控制占空比結合所述修正后的控制周期計算再下一可控硅維持關斷時間Toff3； S12、從再下一可控硅維持關斷時間結束位置開始定時Toff3，時間延時到再發驅動控制可控硅導通，繼續采樣檢測可控硅導通到再下一自然關斷時間Ton3； S13、重復上述過程，繼續對可控硅導通的占空比進行帶PID的閉環控制，直到停止輸出控制。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海藍瑞電氣有限公司，其通訊地址為：201100 上海市閔行區東川路555號乙樓5040室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。