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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實(shí)驗(yàn)室))申請(qǐng)的專利硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)及其監(jiān)測方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116297814B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310406981.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N27/83；該發(fā)明授權(quán)硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)及其監(jiān)測方法是由陳義強(qiáng);劉曉毅;曲晨冰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-04-17向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)及其監(jiān)測方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)及其監(jiān)測方法。硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底、硅通孔結(jié)構(gòu)、第一導(dǎo)線層、第二導(dǎo)線層及感應(yīng)線圈；硅通孔結(jié)構(gòu)包括第一硅通孔結(jié)構(gòu)及第二硅通孔結(jié)構(gòu)，第一硅通孔結(jié)構(gòu)及第二硅通孔結(jié)構(gòu)均包括硅通孔、介質(zhì)層及導(dǎo)電柱；感應(yīng)線圈與第一導(dǎo)線層及第二硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電柱均相連接；天線結(jié)構(gòu)位于具有硅通孔結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)的上方，與具有硅通孔結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)具有間距。可以基于天線結(jié)構(gòu)與具有硅通孔結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)之間的電感耦合，快速確定天線結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的散射參數(shù)，并基于該散射參數(shù)，快速且準(zhǔn)確判斷硅通孔結(jié)構(gòu)中是否存在缺陷，這樣在實(shí)現(xiàn)降低成本的同時(shí)，快速且準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)監(jiān)測硅通孔結(jié)構(gòu)中是否缺陷。

本發(fā)明授權(quán)硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)及其監(jiān)測方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種硅通孔結(jié)構(gòu)的缺陷監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 具有硅通孔結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底、硅通孔結(jié)構(gòu)、第一導(dǎo)線層、第二導(dǎo)線層及感應(yīng)線圈；所述硅通孔結(jié)構(gòu)包括第一硅通孔結(jié)構(gòu)及第二硅通孔結(jié)構(gòu)，所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)及所述第二硅通孔結(jié)構(gòu)均包括硅通孔、介質(zhì)層及導(dǎo)電柱；所述硅通孔位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，且沿厚度方向貫穿所述半導(dǎo)體襯底；所述介質(zhì)層覆蓋所述硅通孔的側(cè)壁；所述導(dǎo)電柱位于所述硅通孔內(nèi)，且填滿所述硅通孔；所述第一導(dǎo)線層位于所述半導(dǎo)體襯底的上方，與所述半導(dǎo)體襯底絕緣隔離，且與所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電柱相連接；所述第二導(dǎo)線層位于所述半導(dǎo)體襯底的下方，與所述半導(dǎo)體襯底絕緣隔離，且與所述第一硅通孔結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電柱及所述第二硅通孔結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電柱均相連接；所述感應(yīng)線圈位于所述半導(dǎo)體襯底的上方，與所述半導(dǎo)體襯底絕緣隔離，且與所述第一導(dǎo)線層及所述第二硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電柱均相連接； 天線結(jié)構(gòu)，位于所述具有硅通孔結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)的上方，與所述具有硅通孔結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)具有間距。

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