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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海派拉綸生物技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)的專利ALD-Parylene復(fù)合膜層及其沉積設(shè)備、沉積方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120082871B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510578385.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權(quán)ALD-Parylene復(fù)合膜層及其沉積設(shè)備、沉積方法是由張?jiān)?徐正偉;張金剛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本ALD-Parylene復(fù)合膜層及其沉積設(shè)備、沉積方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明屬于鍍覆技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ALD?Parylene復(fù)合膜層及其沉積設(shè)備、沉積方法，通過(guò)將加熱盤與腔體外壁之間預(yù)留真空間隙，在反應(yīng)過(guò)程中隨著腔體內(nèi)真空度的增加形成了一道隔絕加熱盤向腔體外部熱傳導(dǎo)的屏障，避免了直接接觸造成熱量損失以及密封件的損壞，有利于提升鍍膜效果；通過(guò)ALD反應(yīng)與派拉綸反應(yīng)結(jié)合在同一反應(yīng)腔體中進(jìn)行，并且通過(guò)不同的管路設(shè)計(jì)和分時(shí)控制，使得在基材表面能夠形成交替的ALD膜層和Parylene膜層的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)，通過(guò)ALD膜層致密性有利于增強(qiáng)膜層的阻水性，對(duì)原有派拉綸膜層缺陷進(jìn)行封堵；且保持原有涂層的柔軟性，在受撞擊和冷熱沖擊時(shí)不至于破裂，有利于提高膜層的穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)ALD-Parylene復(fù)合膜層及其沉積設(shè)備、沉積方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種ALD-Parylene復(fù)合膜層沉積設(shè)備，其特征在于，包括： 反應(yīng)腔體，所述反應(yīng)腔體包括相互配合的頂蓋組件和底蓋組件，所述頂蓋組件包括頂板和上加熱盤，所述上加熱盤通過(guò)第一絕熱部件懸掛連接于所述頂板的下表面，所述上加熱盤和所述頂板之間留有第一真空間隙；所述底蓋組件包括底板和下加熱盤，所述下加熱盤通過(guò)第二絕熱部件支撐連接于所述底板的上表面，所述下加熱盤和所述底板之間留有第二真空間隙；所述第一真空間隙和所述第二真空間隙為1~2cm；所述頂板與所述底板之間密封配合，所述底板沿周向設(shè)置有密封圈槽，所述密封圈槽內(nèi)設(shè)置有密封圈； 第一進(jìn)氣管路，所述第一進(jìn)氣管路與所述反應(yīng)腔體連接，所述第一進(jìn)氣管路上設(shè)置有第一進(jìn)氣閥門，用于控制第一類反應(yīng)原料進(jìn)入到所述反應(yīng)腔體；所述第一類反應(yīng)原料為三甲基鋁； 第二進(jìn)氣管路，所述第二進(jìn)氣管路與所述反應(yīng)腔體連接，所述第二進(jìn)氣管路上設(shè)置有第二進(jìn)氣閥門，用于控制第二類反應(yīng)原料進(jìn)入到所述反應(yīng)腔體；所述第二類反應(yīng)原料為水； 第三進(jìn)氣管路，所述第三進(jìn)氣管路與所述反應(yīng)腔體連接，所述第三進(jìn)氣管路上設(shè)置有第三進(jìn)氣閥門，用于控制第三類反應(yīng)原料進(jìn)入到所述反應(yīng)腔體；所述第三類反應(yīng)原料為聚對(duì)二甲苯； 排氣管路，所述排氣管路與所述反應(yīng)腔體連接，所述排氣管路上設(shè)置有排氣泵； 主掃氣管路，所述主掃氣管路與所述反應(yīng)腔體連接，用于在全部反應(yīng)完成后對(duì)所述反應(yīng)腔體進(jìn)行快速降溫； 控制單元，所述控制單元分別與所述第一進(jìn)氣閥門、第二進(jìn)氣閥門、第三進(jìn)氣閥門以及排氣泵連接，所述控制單元用于控制所述排氣泵工作以使得所述反應(yīng)腔體內(nèi)達(dá)到預(yù)設(shè)的真空度要求、以及控制所述第一進(jìn)氣閥門和所述第二進(jìn)氣閥門交替開啟以在基材表面形成原子沉積層，并在形成所述原子沉積之后控制所述第三進(jìn)氣閥門開啟，以在所述原子沉積層上形成派拉綸膜層； 所述上加熱盤上設(shè)置有第一功率加熱部件和第二功率加熱部件，所述第一功率加熱部件的加熱功率大于所述第二功率加熱部件的加熱功率； 所述下加熱盤上設(shè)置有第三功率加熱部件和第四功率加熱部件，所述第三功率加熱部件的加熱功率大于所述第四功率加熱部件的加熱功率； 所述控制單元與所述第一功率加熱部件、第二功率加熱部件、第三功率加熱部件以及第四功率加熱部件連接，用于當(dāng)需要快速加熱時(shí)控制所述第一功率加熱部件和所述第三功率加熱部件開啟，以及當(dāng)需要維持溫度時(shí)控制所述第二功率加熱部件和所述第四功率加熱部件開啟。

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