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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111640705B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910925253.2，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導體器件及其制造方法是由賴惠先;童宇誠;林昭維;朱家儀;呂前宏設計研發完成，并于2019-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導體器件及其制造方法，通過本發明提供的掩模版組合，來定義接觸插塞的形成位置，以使得核心區邊界處的部分有源區的上方無接觸插塞，而核心區邊界處的其他有源區以及核心區內部的有源區的上方均有接觸插塞，由此，后續再采用現有工藝在核心區的內部和邊界處形成相應的電學結構時，使得核心區邊界處的部分電學結構因其下方沒有與有源區接觸的接觸插塞而變為虛擬結構，由此可以避免制造出來的半導體器件因核心區邊界處的電學結構的問題而導致不能通過相關測試的問題，繼而提高了制得的半導體器件的性能和合格率。

本發明授權掩模板組合及接觸插塞制作方法、半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種掩模板組合，用于制作接觸插塞，其特征在于，所述掩模板組合包括： 第一掩模板，具有多條平行的第一遮光條紋，相鄰的兩條第一遮光條紋之間為第一透光區； 第二掩模板，具有多條平行且與每條第一遮光條紋相交的第二遮光條紋，相鄰的兩條第二遮光條紋之間為第二透光區； 第三掩模板，具有遮光塊和與遮光塊互補的第三透光區，所述遮光塊具有面向所述第三掩模板中心的鋸齒狀邊緣，以覆蓋所述第一掩模板的邊界處的至少一條第一遮光條紋和該條第一遮光條紋最近鄰的部分第一透光區，以及，覆蓋所述第二掩模板的邊界處的至少兩條第二遮光條紋以及所述兩條第二遮光條紋之間的部分第二透光區，第三透光區、第一透光區和第二透光區的重疊區域為形成接觸插塞的區域； 其中，在通過所述第一掩模板、所述第二掩模板和所述第三掩模板的組合來定義接觸插塞的形成位置時，利用第三掩模板的鋸齒狀邊緣來掩蔽待制造的半導體器件的核心區邊界處易出問題的有源區，使其上方無接觸插塞形成，同時暴露出所述待制造的半導體器件的核心區邊界處其他有源區位置，使其上方有接觸插塞形成。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。