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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114175219B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980098913.2，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由南條拓真;今井章文;綿引達郎設計研發完成，并于2019-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及異質結場效應型晶體管，在第一氮化物半導體的溝道層的上層部具備：與第一氮化物半導體異質接合的第二氮化物半導體的阻擋層；中間夾持阻擋層而相互留有間隔地設置的n型的第一雜質區域和n型的第二雜質區域；在第一雜質區域和所述第二雜質區域上設置的源電極及漏電極；與至少阻擋層的除源電極側的邊緣部以外的區域接觸的方式設置的絕緣膜；至少將與阻擋層的邊緣部接觸、且與阻擋層的除邊緣部以外的區域接觸而設置的絕緣膜覆蓋的柵極絕緣膜；和以將絕緣膜上的一部分區域上和阻擋層的邊緣部的區域上覆蓋的方式在柵極絕緣膜上設置的柵電極，在阻擋層中的邊緣部的溝道層與阻擋層的界面產生的2DEG引起的薄層電阻成為10kΩsq以上。

本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其包括： 基板； 溝道層，其在所述基板上設置并由第一氮化物半導體構成； 阻擋層，其在所述溝道層的上層部設置、由具有比所述第一氮化物半導體的帶隙大的帶隙的第二氮化物半導體構成； n型的第一雜質區域和n型的第二雜質區域，均設置在所述溝道層的所述上層部，所述第一雜質區域和所述第二雜質區域相互留有間隔地設置，所述第一雜質區域和所述第二雜質區域之間夾持所述阻擋層； 源電極及漏電極，其分別設置在所述第一雜質區域及所述第二雜質區域上； 漂移區域，其在所述阻擋層的除所述源電極側的邊緣部以外的所述阻擋層上以與所述阻擋層接觸的方式設置有絕緣膜； 溝道區域，其在所述阻擋層的邊緣部且在與所述第二雜質區域分離的位置，在其上沒有形成所述絕緣膜； 柵極絕緣膜，其在所述溝道區域上及所述漂移區域上以分別與所述阻擋層及所述絕緣膜接觸的方式形成；和 柵電極，其設置在所述溝道區域上及所述漂移區域的一部分上的所述柵極絕緣膜上， 所述溝道區域的所述阻擋層與所述漂移區域的所述阻擋層為相同的厚度和組成， 所述溝道區域中的所述溝道層與所述阻擋層的界面產生的二維電子氣引起的薄層電阻為10kΩsq以上， 所述漂移區域中的所述溝道層與所述阻擋層的界面產生的二維電子氣引起的薄層電阻為10kΩsq以下。

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