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龍圖騰網(wǎng)獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請(qǐng)的專利改善熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管芯片及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115347100B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210876242.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/831；該發(fā)明授權(quán)改善熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管芯片及其制備方法是由張威;王江波設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本改善熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管芯片包括：外延層、第一絕緣層、金屬支撐層、第二絕緣層和電極塊；所述外延層、所述第一絕緣層和所述金屬支撐層依次層疊，所述第二絕緣層位于所述金屬支撐層上，所述電極塊位于所述第二絕緣層上，且通過過孔與所述外延層相連，所述電極塊與所述金屬支撐層絕緣。本公開實(shí)施例能改善芯片的熱傳導(dǎo)性能。

本發(fā)明授權(quán)改善熱傳導(dǎo)的發(fā)光二極管芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片包括：外延層20、第一絕緣層31、金屬支撐層40、第二絕緣層32、電極塊50和第二電流傳導(dǎo)層62； 所述外延層20、所述第一絕緣層31和所述金屬支撐層40依次層疊，所述第二絕緣層32位于所述金屬支撐層40上，所述電極塊50位于所述第二絕緣層32上，且通過過孔與所述外延層20相連，所述電極塊50與所述金屬支撐層40絕緣； 所述第二電流傳導(dǎo)層62位于所述外延層20的表面上，所述第二電流傳導(dǎo)層62、所述金屬支撐層40在所述外延層20表面的正投影至少部分重疊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。