北京鎵和半導體有限公司唐為華獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉北京鎵和半導體有限公司申請的專利一種α相氧化鎵晶體的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115652429B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211105969.6，技術領域涉及：C30B29/16；該發明授權一種α相氧化鎵晶體的制備方法是由唐為華;馮淦榮;李山設計研發完成，并于2022-09-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種α相氧化鎵晶體的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供的一種α相氧化鎵晶體的制備方法。通過設計腔體結構、選定坩堝及熔鹽材料，成功在高溫高壓的六面頂壓機內生長出α相氧化鎵晶體。上述方法包括以下步驟：取一定粒度的5N氧化鎵粉末β相和熔鹽材料按一定比例充分混合后進行靜壓成型；在手套箱內將氧化鎵籽晶α相放置在坩堝底部后將成型后的原料壓入坩堝；采用常規密封方式將坩堝密封后置于六面頂壓機內；升壓升溫后以常規方法包括緩慢降溫法、溫度梯度法、降溫降壓法進行一定時間的生長即可得到毫米級的α相氧化鎵晶體。
本發明授權一種α相氧化鎵晶體的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種α相氧化鎵單晶的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：取粒度為4~20的β相氧化鎵粉末和燒堿在水中充分混合；將混合后的溶液加入原料坩堝后置于常規加熱爐內；將爐體抽真空后通以流動的惰性氣體；加熱原料坩堝至200~300℃保持0.5~3小時充分去除水分；將得到的粉體進行靜壓成型后放入干燥箱備用；將得到的原料、α相氧化鎵籽晶、坩堝放入充滿惰性氣體的手套箱中；在手套箱中將籽晶放入坩堝底部后將成型后的原料壓入坩堝，并將坩堝焊接密封；將坩堝和組裝塊組合，其垂直方向由保溫材料和石墨圓盤組成，徑向由石墨襯套包裹；組裝完成后置于六面頂壓機內；以100~500℃小時的速率將系統溫度上升至900~1100℃，同時將系統壓力上升至3~5GPa，保溫保壓0.5~100小時；待爐內降至常溫常壓后，將坩堝取出后切割，再取出其中成品，以純水清洗后即可得到透明的α相氧化鎵單晶。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京鎵和半導體有限公司，其通訊地址為：101407 北京市懷柔區雁棲經濟開發區雁棲大街53號院13號樓3層01-325室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號