惠州佰維存儲科技有限公司孫成思獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉惠州佰維存儲科技有限公司申請的專利一種晶圓顆粒分離方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115476053B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211103700.4，技術領域涉及：B23K26/38；該發明授權一種晶圓顆粒分離方法是由孫成思;陳健設計研發完成，并于2022-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶圓顆粒分離方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種晶圓顆粒分離方法，按照預設切割深度對涂覆激光切割保護液后的晶圓的預設切割道進行激光切割，得到切割后的晶圓，所述預設切割深度小于所述預設切割道的厚度；基于所述切割后的晶圓進行冷擴分離，得到晶圓顆粒，即先對切割道進行激光切割，且不切斷，只是破開一道口子，達到損傷切割道的目的，后續隱切時，僅在晶圓內部改質，在冷擴分離時，由于切割道開槽位置脆弱，冷擴力可由隱切位置導向切割道脆弱位置，較易的將晶圓顆粒分離，避免芯片die晶片開裂，從而有效提高晶圓顆粒分離質量，進而提高產品良率。
本發明授權一種晶圓顆粒分離方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓顆粒分離方法，其特征在于，包括步驟： 按照預設切割深度對涂覆激光切割保護液后的晶圓的預設切割道進行激光切割，得到切割后的晶圓，所述預設切割深度小于所述預設切割道的厚度； 基于所述切割后的晶圓進行冷擴分離，得到晶圓顆粒； 所述按照預設切割深度對涂覆激光切割保護液后的晶圓的預設切割道進行激光切割，得到切割后的晶圓之前包括步驟： 在晶圓的背面貼附鋼化膜，得到貼膜后的晶圓； 基于所述貼膜后的晶圓的正面涂覆激光切割保護液，得到涂覆激光切割保護液后的晶圓； 所述鋼化膜為UV膜； 所述基于所述切割后的晶圓進行冷擴分離，得到晶圓顆粒包括： 清洗所述切割后的晶圓上的所述激光切割保護液，得到清洗后的晶圓； 對所述清洗后的晶圓進行UV照射，直至去除表面的所述UV膜，得到晶圓裸片； 在所述晶圓裸片的正面貼附研磨保護膜，得到重貼膜后的晶圓； 對所述重貼膜后的晶圓的所述預設切割道進行隱形激光切割，得到隱形切割后的晶圓； 將所述隱形切割后的晶圓研磨至目標厚度，得到研磨后的晶圓； 對所述研磨后的晶圓進行冷擴分離，得到晶圓顆粒。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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