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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利一種基于隧道磁電阻的壓控存儲單元的實現方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115955904B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211206649.X，技術領域涉及：H10N50/01；該發明授權一種基于隧道磁電阻的壓控存儲單元的實現方法是由劉波;遲克群;唐曉莉;劉夢麗設計研發完成，并于2022-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于隧道磁電阻的壓控存儲單元的實現方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于隧道磁電阻的壓控存儲單元的實現方法，涉及磁存儲技術領域，在壓電伸縮層上表面即隧道結同一平面內設計一對面內電極，且在基片下表面制備一底電極，利用上表面內單個電極及底電極對壓電伸縮層垂直方向施加電壓，利用逆磁電耦合效應可使隧道結自由層磁矩實現偏離初始磁矩取向90°內的轉動；在此基礎上利用面內一對電極施加正、負電壓從而引入局域應變，可使磁矩分別轉向初始磁矩45°和135°方向，以此輔助磁矩克服90°方向的翻轉勢壘。由此，以一定規律施加電壓即可實現磁矩可逆、可重復的180°翻轉，得到自由層與固定層之間平行態與反平行態的調制，實現最大的隧道磁電阻調控，有利于發展低功耗的壓控磁存儲器件。

本發明授權一種基于隧道磁電阻的壓控存儲單元的實現方法在權利要求書中公布了：1.一種基于隧道磁電阻的壓控存儲單元的實現方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1：選用壓電磁存儲的壓電伸縮層（2），所述壓電伸縮層（2）能實現在其上下表面加電壓時，無論是正電壓還是負電壓，該壓電伸縮層（2）的晶軸方向均產生負應變，[001]晶軸方向設為x方向； 步驟2：在壓電伸縮層（2）上表面制備磁性隧道結薄膜，從壓電伸縮層（2）上依次制備緩沖層（3）、自由層（4）、氧化物勢壘層（5）、固定層（6）和反鐵磁層（7）；其中，在施加電壓時自由層（4）磁矩由于磁電耦合效應會根據磁彈耦合能的大小發生轉動，而固定層（6）磁矩則基本不受影響； 步驟3：在壓電伸縮層（2）上表面制備一對電極D1、D2，兩個電極大小相同，相互平行并分布在隧道結兩側，兩個電極中心連線為x’方向，在面內偏離x軸45°方向，與x’垂直的方向設為y’方向，偏離x軸135°方向； 同時，在下電極板（1）表面制備另一電極D3，用于電壓施加，其中電極板及電極材料選擇Cu、Ag、Au，步驟4：當用于隧道結制備的自由層（4）磁性材料磁致伸縮系數為正時，在初始狀態下，將自由層（4）磁性薄膜的初始磁矩設置在x軸正方向,通過對D1、D3這一對電極施加電壓，因為逆磁電耦合效應自由層（4）的初始磁矩可轉向y軸方向，對D1、D2這一對電極施加正、負電壓可使自由層（4）的初始磁矩分別轉向x’、y’方向； 電極D1連接有開關K1，電極D2連接有開關K2，開關K1與開關K2通過連接線電連接；開關K1與開關K2之間的連接線與電源E的正極電連接，電極D3與電源的負極電連接； 當用于隧道結制備的自由層（4）磁性材料磁致伸縮系數為負時，在初始狀態下，將自由層（4）磁性薄膜的初始磁矩設置在y軸正方向，通過對D1、D3這一對電極施加電壓，因為逆磁電耦合效應自由層（4）的初始磁矩可轉向x軸方向，對D1、D2這一對電極施加正、負電壓可使自由層（4）的初始磁矩分別轉向y’、x’方向。

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