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          中國科學(xué)院微電子研究所張紫辰獲國家專利權(quán)

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          龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院微電子研究所申請的專利一種MT插芯的制造方法及其設(shè)備、MT插芯獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115639647B

          龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202211169855.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G02B6/38;該發(fā)明授權(quán)一種MT插芯的制造方法及其設(shè)備、MT插芯是由張紫辰;李朋;侯煜;張昆鵬;石海燕;李曼;王然;岳嵩;張喆;文志東;薛美設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-09-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

          一種MT插芯的制造方法及其設(shè)備、MT插芯在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種MT插芯的制造方法及其設(shè)備、MT插芯,該MT插芯的制造方法包括:提供一玻璃基板,玻璃基板具有相對的第一端面和第二端面;采用激光工藝去除玻璃基板的表面的污漬;對玻璃基板內(nèi)的至少一個待加工光纖孔位置處進(jìn)行激光分層加工改性,以在玻璃基板內(nèi)形成至少一個改性區(qū),其中,每個改性區(qū)均貫穿第一端面和第二端面;采用選擇性腐蝕工藝去除每個改性區(qū)中的材料,以在玻璃基板內(nèi)形成至少一個光纖孔;對每個光纖孔的孔壁進(jìn)行拋光處理;采用激光工藝在每個光纖孔兩端端口中的至少一個端口處進(jìn)行倒角。利用玻璃基板的耐溫性好,熱膨脹系數(shù)小的特性,能夠解決目前MPO連接器耐溫性差,在高溫條件下穩(wěn)定性差等缺陷。

          本發(fā)明授權(quán)一種MT插芯的制造方法及其設(shè)備、MT插芯在權(quán)利要求書中公布了:1.一種MT插芯的制造方法,所述MT插芯應(yīng)用于MPO連接器,其特征在于,包括: 提供一玻璃基板,所述玻璃基板具有相對的第一端面和第二端面; 采用激光工藝去除所述玻璃基板的表面的污漬; 對所述玻璃基板內(nèi)的至少一個待加工光纖孔位置處進(jìn)行激光分層加工改性,以在所述玻璃基板內(nèi)形成至少一個改性區(qū),其中,每個改性區(qū)均貫穿所述第一端面和第二端面; 采用選擇性腐蝕工藝去除每個改性區(qū)中的材料,以在所述玻璃基板內(nèi)形成至少一個光纖孔; 對每個光纖孔的孔壁進(jìn)行拋光處理; 采用激光工藝在每個光纖孔兩端端口中的至少一個端口處進(jìn)行倒角; 其中,采用選擇性腐蝕工藝去除每個改性區(qū)中的材料包括: 將玻璃基板放入帶有磁性粉末的氫氟酸溶液中; 在承載有磁性粉末的氫氟酸溶液的周圍外加交流磁場,驅(qū)動氫氟酸溶液流動,選擇性腐蝕掉每個改性區(qū)中的材料。

          如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所,其通訊地址為:100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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