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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學;南京磊幫半導體科技有限公司申請的專利一種超快光電導結(jié)構和光電導天線器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115732582B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211591380.1，技術領域涉及：H10F77/124；該發(fā)明授權一種超快光電導結(jié)構和光電導天線器件是由蘆紅;張微微;姚金山;李晨;盧守國設計研發(fā)完成，并于2022-12-12向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種超快光電導結(jié)構和光電導天線器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種超快光電導結(jié)構，包含半導體襯底和超晶格光電導層，其中超晶格光電導層的周期結(jié)構包括光吸收層和載流子擴散阻擋層。本發(fā)明還公開了一種光電導天線器件，由超快光電導結(jié)構以及天線結(jié)構組成。本發(fā)明通過外延方式精確調(diào)控光電導結(jié)構的組分、結(jié)構等，結(jié)合材料生長后的退火條件控制，對材料的載流子壽命、暗電阻和遷移率進行調(diào)制，在通信波段實現(xiàn)亞皮秒級的快速弛豫，可用于飛秒激光激發(fā)的太赫茲源和探測器。

本發(fā)明授權一種超快光電導結(jié)構和光電導天線器件在權利要求書中公布了：1.一種超快光電導結(jié)構，其特征在于，包含半導體襯底和超晶格光電導層，所述超晶格光電導層的周期結(jié)構包括光吸收層和載流子擴散阻擋層，所述光吸收層為InxGa1-xAs0≤x≤1半導體層，所述載流子擴散阻擋層為摻雜稀土元素的InyAl1-yAs0≤y≤1或AlAs1- zSbz0≤z≤1半導體層，所述載流子擴散阻擋層的摻雜方式為共沉積，摻雜濃度為1x1015-5x1021cm-3。

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