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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所申請(qǐng)的專利一種帶隙基準(zhǔn)電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119717991B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510156364.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F1/567；該發(fā)明授權(quán)一種帶隙基準(zhǔn)電路是由王璽;劉大偉;范建林;莊巍;田仁寬;余璐洋;龐凱悅;黃鴻程;嚴(yán)飚;李紀(jì)洲;趙維佳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種帶隙基準(zhǔn)電路在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N帶隙基準(zhǔn)電路，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，帶隙基準(zhǔn)電路包括：核心電路、負(fù)溫度電流提取電路、高階調(diào)制處理電路和輸出電路。核心電路用于產(chǎn)生X點(diǎn)電壓、無(wú)基極電流的正溫度系數(shù)PTAT電流以及混合有基極電流的負(fù)溫度系數(shù)CTAT電流。其中，X點(diǎn)電壓為核心電路中流過(guò)PTAT電流的三極管的基極?發(fā)射極電壓。負(fù)溫度電流提取電路用于依據(jù)X點(diǎn)電壓抽取出無(wú)基極電流的CTAT電流。高階調(diào)制處理電路用于根據(jù)核心電路提供的X點(diǎn)電壓和PTAT電流、負(fù)溫度電流提取電路提供的CTAT電流生成經(jīng)過(guò)高階調(diào)制、且消除基極電流影響后的帶隙基準(zhǔn)電流。輸出電路用于將帶隙基準(zhǔn)電流轉(zhuǎn)換為帶隙基準(zhǔn)電壓后輸出。

本發(fā)明授權(quán)一種帶隙基準(zhǔn)電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種帶隙基準(zhǔn)電路，其特征在于，包括：核心電路、負(fù)溫度電流提取電路、高階調(diào)制處理電路和輸出電路； 所述負(fù)溫度電流提取電路的第一端口、所述高階調(diào)制處理電路的第一端口均連接于所述核心電路中的X點(diǎn)，所述高階調(diào)制處理電路的第二端口和第三端口分別與所述負(fù)溫度電流提取電路的第二端口和所述核心電路的第一端口連接，所述高階調(diào)制處理電路的輸出端與所述輸出電路連接； 所述核心電路用于產(chǎn)生X點(diǎn)電壓、無(wú)基極電流的正溫度系數(shù)PTAT電流以及混合有基極電流的負(fù)溫度系數(shù)CTAT電流；其中，所述X點(diǎn)電壓為所述核心電路中流過(guò)所述PTAT電流的三極管的基極-發(fā)射極電壓； 所述負(fù)溫度電流提取電路用于依據(jù)所述X點(diǎn)電壓抽取出無(wú)基極電流的CTAT電流； 所述高階調(diào)制處理電路用于根據(jù)所述核心電路提供的X點(diǎn)電壓和PTAT電流、所述負(fù)溫度電流提取電路提供的CTAT電流生成經(jīng)過(guò)高階調(diào)制、且消除基極電流影響后的帶隙基準(zhǔn)電流； 所述輸出電路用于將所述帶隙基準(zhǔn)電流轉(zhuǎn)換為帶隙基準(zhǔn)電壓后輸出； 所述核心電路包括：Q0管、Q1管、Q2管、Q3管、Q4管、PM0管、PM1管、PM2管、PM3管、PM23管、PM24管、PM25管、NM4管、電阻R0、電阻R1和第一級(jí)聯(lián)MOS管； 其中，Q0管、Q1管、Q2管、Q3管和Q4管均為NPN三極管，且Q0管的并聯(lián)數(shù)大于Q1管的并聯(lián)數(shù)；PM0管、PM1管、PM2管、PM3管、PM23管、PM24管和PM25管均為PMOS管，NM4管為NMOS管； PM0管、PM1管、PM2管、PM3管和第一級(jí)聯(lián)MOS管的源極均接供電電源，PM25管、PM24管和PM23管的源極分別與PM3管、PM0管和PM2管的漏極連接，PM25管、PM24管和PM23管的柵極均與第一級(jí)聯(lián)MOS管的柵極連接；PM3管的柵極、PM0管的柵極和PM23管的漏極均與PM2管的柵極連接；其中，PM2管的柵極作為所述核心電路的第一端口； PM25管的漏極與Q3管的集電極連接，PM24管的漏極分別與PM1管的柵極和Q0管的集電極連接，PM23管的漏極還與NM4管的漏極連接，NM4管的柵極與Q3管的集電極連接，NM4管的源極分別與Q3管的基極和Q2管的集電極連接，第一級(jí)聯(lián)MOS管的漏極與Q4管的集電極連接； Q0管、Q1管、Q2管、Q3管、Q4管的發(fā)射極均接地，Q1管、Q2管和Q4管的基極均連接于所述X點(diǎn)，Q1管的集電極分別與Q0管的基極和電阻R0的一端連接，電阻R0的另一端分別與PM1管的漏極和所述X點(diǎn)連接，電阻R1的一端接地，電阻R1的另一端連接于所述X點(diǎn)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，其通訊地址為：510651 廣東省廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。