復(fù)旦大學(xué)王天宇獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉復(fù)旦大學(xué)申請的專利一種基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113972318B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111280578.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器及其制備方法是由王天宇;孟佳琳;陳琳;孫清清;張衛(wèi)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器及其制備方法。該基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器，包括：襯底；底電極，形成在所述襯底上；功能層，其為不同氧含量的多層非晶氧化物薄膜，形成在所述底電極上；頂電極，形成在所述功能層上，在向頂電極施加電壓時(shí)，各層非晶氧化物薄膜自上而下依次形成氧空位導(dǎo)電通道，實(shí)現(xiàn)阻態(tài)的逐級調(diào)制，使得單一器件具有多態(tài)存儲的功能。
本發(fā)明授權(quán)一種基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于同質(zhì)結(jié)的多比特存儲器，其特征在于， 包括： 襯底； 底電極，形成在所述襯底上； 功能層，其為不同氧含量的多層非晶氧化物薄膜，形成在所述底電極上； 頂電極，形成在所述功能層上， 在向頂電極施加電壓時(shí)，各層非晶氧化物薄膜自上而下依次形成氧空位導(dǎo)電通道，實(shí)現(xiàn)阻態(tài)的逐級調(diào)制， 其中，所述非晶氧化物薄膜為TiNxO2-x，TaNxO2-x，HfNxO2-x或ZnNxO2-x。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人復(fù)旦大學(xué)，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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